transistor assemblies (2P, 2T, KP, KT and others)
1НТ251
Транзисторные сборки 1НТ251, состоящие из четырех кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n переключательных транзисторов.
Предназначены для применения в переключающих устройствах.
1НТ251А
Транзисторные сборки 1НТ251А, состоящие из четырех кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n переключательных транзисторов.
Предназначены для применения в переключающих устройствах.
1НТ251А2
Транзисторные сборки 1НТ251А2, состоящие из четырех кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n переключательных транзисторов.
Предназначены для применения в переключающих устройствах.
1ТС609А
Транзисторные сборки 1ТС609А, состоящие из четырех германиевых диффузионио-сплавных р-п-р переключательных высокочастотных маломощных транзисторов.
Предназначены для применения в переключательных схемах.
1ТС609Б
Транзисторные сборки 1ТС609Б, состоящие из четырех германиевых диффузионио-сплавных р-п-р переключательных высокочастотных маломощных транзисторов.
Предназначены для применения в переключательных схемах.
2П7120ВС
Транзисторная сборка 2П7120ВС кремниевых эпитаксиально-планарных полевых с изолированным затвором мощных переключательных транзисторов.
Корпусное исполнение: 427.8-1.
2П7240БС9
Транзисторная сборка 2П7240БС9 n-канальная переключательная с рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт, с максимальной рабочей частотой более 3 МГц, но не более 30 МГц-
Корпусное исполнение: 4320.8-А.
2П7240ВС9
Транзисторная сборка 2П7240ВС9 n-канальная переключательная с рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт, с максимальной рабочей частотой более 3 МГц, но не более 30 МГц-
Корпусное исполнение: 4320.8-А.
2П826АС
Транзистор 2П826АС кремниевый полевой n-канальный с изолированным затвором, выполненный по DMOS технологии.
Предназначен для использования в усилителях мощности на частотах до 80 МГц.
2П9103ГС
Транзисторная сборка 2П9103ГС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по LDMOS технологии.
Предназначен для работы в аппаратуре радиосвязи с высокими требованиями по линейности и передающих станциях эфирного телевещания.
2П9103ДС
Транзисторная сборка 2П9103ДС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по LDMOS технологии.
Предназначен для работы в аппаратуре радиосвязи с высокими требованиями по линейности и передающих станциях эфирного телевещания.
2П9110ЕС
Транзисторная сборка 2П9110ЕС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по LDMOS технологии.
Предназначен для работы в бортовой и наземной радиопередающей авиационной аппаратуре, в системах навигации и радиолокации.
2П9111БС
Транзисторная сборка 2П9111БС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по LDMOS технологии.
Предназначен для использования в усилителях мощности на частотах до 500 МГц.
2П9111ВС
Транзисторная сборка 2П9111ВС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по LDMOS технологии.
Предназначен для использования в усилителях мощности на частотах до 500 МГц.
2П9115АС
Транзисторная сборка 2П9115АС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по LDMOS технологии.
Предназначена для применения в бортовой и наземной радиопередающей авиационной аппаратуре, в системах навигации и радиолокации.
2П9120ВС
Транзисторная сборка 2П9120ВС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по LDMOS технологии.
Предназначен для работы в радиопередающей аппаратуре РЛС и других средств радиосвязи.
2П980БС
Транзисторная сборка 2П980БС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по LDMOS технологии.
Предназначен для использования в усилителях мощности на частотах до 1000 МГц.
2П981БС
Транзисторная сборка 2П981БС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по DMOS технологии.
Предназначен для использования в усилителях мощности на частотах до 500 МГц.
2П981ВС
Транзисторная сборка 2П981ВС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по DMOS технологии.
Предназначен для использования в усилителях мощности на частотах до 500 МГц.
2П986ЕС
Транзисторная сборка 2П986ЕС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по LDMOS технологии.
Предназначен для использования в усилителях мощности на частотах до 500 МГц.
2П998БС
Транзисторная сборка 2П998БС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по LDMOS технологии.
Предназначен для использования в усилителях мощности на частотах до 500 МГц.
2ПС104А
Транзисторная сборка 2ПС104А состоящая из двух кремниевых эпитаксиально-планарных ионнолегированных полевых с затвором на основе p-n перехода с каналом n-типа транзисторов.
Предназначена для применения в входных каскадах дифференциальных малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением.
2ПС104Г
Транзисторная сборка 2ПС104Г состоящая из двух кремниевых эпитаксиально-планарных ионнолегированных полевых с затвором на основе p-n перехода с каналом n-типа транзисторов.
Предназначена для применения в входных каскадах дифференциальных малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением.
2ПС104Д
Транзисторная сборка 2ПС104Д состоящая из двух кремниевых эпитаксиально-планарных ионнолегированных полевых с затвором на основе p-n перехода с каналом n-типа транзисторов.
Предназначена для применения в входных каскадах дифференциальных малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением.
2ПС202А-1
Транзисторная сборка 2ПС202А-1 состоящая из двух кремниевых эпитаксиально-планарных ионно-легированных полевых малошумящих транзисторов с p-n переходом и каналом n-типа.
Сборка предназначена для применения в входных каскадах дифференциальных малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением.
2ПС202Б-1
Транзисторная сборка 2ПС202Б-1 состоящая из двух кремниевых эпитаксиально-планарных ионно-легированных полевых малошумящих транзисторов с p-n переходом и каналом n-типа.
Сборка предназначена для применения в входных каскадах дифференциальных малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением.
2ПС202В-1
Транзисторная сборка 2ПС202В-1 состоящая из двух кремниевых эпитаксиально-планарных ионно-легированных полевых малошумящих транзисторов с p-n переходом и каналом n-типа.
Сборка предназначена для применения в входных каскадах дифференциальных малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением.
2ПС202Г-1
Транзисторная сборка 2ПС202Г-1 состоящая из двух кремниевых эпитаксиально-планарных ионно-легированных полевых малошумящих транзисторов с p-n переходом и каналом n-типа.
Сборка предназначена для применения в входных каскадах дифференциальных малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением.
2Т687АС-2
Транзисторные сборки 2Т687АС-2 состоящие из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры p-n-p переключающих транзисторов.
Предназначены для применения в импульсных линейных усилителях и преобразователях.
2Т687БС-2
Транзисторные сборки 2Т687БС-2 состоящие из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры p-n-p переключающих транзисторов.
Предназначены для применения в импульсных линейных усилителях и преобразователях.
2Т689АС
Транзисторы 2Т689АС p-n-p биполярные переключательные импульсные с рассеиваемой мощностью не более 0.4 Вт, с граничной частотой коэффициента передачи тока не более 300 МГц.
Тип корпуса: 401.14-6.
2Т690АС
Транзисторы 2Т690АС n-p-n биполярные переключательные импульсные с рассеиваемой мощностью не более 0.4 Вт, с граничной частотой коэффициента передачи тока не более 300 МГц.
Тип корпуса: 401.14-6.
2Т693АС
Сборки 2Т693АС из четырех кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n транзисторов с рассеиваемой мощностью не более 1.5 Вт, с граничной частотой коэффициента передачи тока не более 300 МГц.
Тип корпуса: 401.14-5M.
2Т9101АС
Сборки 2Т9101АС из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов.
Предназначены для применения в двухтактных широкополосных усилителях мощности в диапазоне частот 350-700 МГц в схеме с общей базой при напряжении питания 28 В.
2Т9105АС
Сборки 2Т9105АС из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов.
Предназначены для применения в двухтактных широкополосных усилителях мощности в диапазоне частот 100-500 МГц при напряжении питания 28 В.
2Т9125АС
Транзисторная сборка 2Т9125АС из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов.
Предназначена для применения в двухтактных широкополосных усилителях мощности и генераторах в диапазоне частот 100-500 МГц в схеме ОЭ при напряжении питания 28 В.
2Т9128АС
Сборка 2Т9128АС из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов.
Предназначена для применения в двухтактных усилителях мощности в диапазоне частот 100-200 МГц в схеме ОЭ при напряжении питания 28 В.
2Т9132АС
Транзисторная сборка 2Т9132АС из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов.
Предназначена для применения в двухтактных широкополосных усилителях и генераторах в полосе частот 350-700 МГц в схеме ОБ при напряжении питания 31 В.
2Т9136АС
Транзисторная сборка 2Т9136АС из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов.
Предназначена для применения в импульсных генераторах, усилителях мощности в диапазоне частот 200-500 МГц в схеме ОБ при напряжении питания 45 В.
2Т9153АС
Транзисторная сборка 2Т9153АС из двух кремниевых n-p-n генераторных СВЧ широкополосных транзисторов с общим эмиттером и балластными резисторами в цепи эмиттера.
Предназначена для работы в двухтактных усилителях мощности в полосе частот 390-840 МГц в схеме с общим эмиттером.
2Т9153БС
Транзисторная сборка 2Т9153БС из двух кремниевых n-p-n генераторных СВЧ широкополосных транзисторов с общим эмиттером и балластными резисторами в цепи эмиттера.
Предназначена для работы в двухтактных усилителях мощности в полосе частот 390-840 МГц в схеме с общим эмиттером.
2Т9156АС
Транзисторная сборка 2Т9156АС из двух кремниевых n-p-n генераторных широкополосных транзисторов.
Предназначена для работы в двухтактных усилителях мощности в полосе частот 650-1000 МГц в схеме с общим эмиттером.
2Т9156БС
Транзисторная сборка 2Т9156БС из двух кремниевых n-p-n генераторных широкополосных транзисторов.
Предназначена для работы в двухтактных усилителях мощности в полосе частот 650-1000 МГц в схеме с общим эмиттером.
2Т9161АС
Транзисторная сборка 2Т9161АС из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов.
Предназначена для применения в двухтактных импульсных усилителях мощности и генераторах в схеме с общей базой в диапазоне частот 200-500 МГц при напряжении питания 45 В.
2Т9164АС
Транзисторная сборка 2Т9156АС из двух кремниевых эпитаксиально-планарных n-p-n мощных СВЧ импульсных генераторных транзисторов с общей базой.
Предназначена для работы в усилителях мощности в диапазоне частот 1030-1090 МГц аппаратуры специального назначения.
2Т9195БС
Транзисторная сборка 2Т9195БС из двух кремниевых n-p-n мощных импульсных СВЧ транзисторов с внутренними согласующимися цепями по входу.
Предназначена для работы для работы в усилителях мощности в диапазоне частот 720-1150 МГц в схеме с общей базой в режиме класса С.
2Т985АС
Сборки 2Т985АС из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов.
Предназначены для применения в двухтактных широкополосных усилителях мощности в диапазоне частот 220-400 МГц при напряжении питания 28 В.
2Т991АС
Сборки 2Т991АС из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов.
Предназначены для применения в двухтактных широкополосных усилителях мощности в схеме с общей базой в полосе частот 350-700 МГц при напряжении питания 28 В.
2ТС3103А
Транзисторные сборки 2ТС3103А, состоящие каждая из двух кремниевых планарных структуры p-n-p усилительных транзисторов с раздельными выводами.
Предназначены для применения в дифференциальных усилительных каскадах.
2ТС3103Б
Транзисторные сборки 2ТС3103Б, состоящие каждая из двух кремниевых планарных структуры p-n-p усилительных транзисторов с раздельными выводами.
Предназначены для применения в дифференциальных усилительных каскадах.
2ТС393А-1
Транзисторные сборки 2ТС393А-1, состоящие из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры p-n-p усилительных транзисторов на одном кристалле с раздельными выводами.
Предназначены для применения в широкополосных балансных, дифференциальных и операционных усилителях и других каскадах герметизированной аппаратуры, в которых требуется идентичность параметров двух транзисторов.
2ТС393А-1Н
Транзисторные сборки 2ТС393А-1Н, состоящие из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры p-n-p усилительных транзисторов на одном кристалле с раздельными выводами.
Транзисторные сборки, состоящие из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры p-n-p усилительных транзисторов на одном кристалле с раздельными выводами.
2ТС393Б-1
Транзисторные сборки 2ТС393Б-1, состоящие из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры p-n-p усилительных транзисторов на одном кристалле с раздельными выводами.
Транзисторные сборки, состоящие из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры p-n-p усилительных транзисторов на одном кристалле с раздельными выводами.
2ТС398А-1
Транзисторные сборки 2ТС398А-1, состоящие каждая из двух изготовленных на одном кристалле кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n усилительных транзисторов с раздельными выводами.
Предназначены для применения в герметизированной аппаратуре в широкополосных балансных, дифференциальных и операционных усилителях и других каскадах, в которых требуется идентичность параметров двух транзисторов.
2ТС398Б-1
Транзисторные сборки 2ТС398Б-1, состоящие каждая из двух изготовленных на одном кристалле кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n усилительных транзисторов с раздельными выводами.
Предназначены для применения в герметизированной аппаратуре в широкополосных балансных, дифференциальных и операционных усилителях и других каскадах, в которых требуется идентичность параметров двух транзисторов.
2ТС613А
Транзисторные матрицы 2ТС613А состоят из четырех электрически изолированных кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n переключающих высокочастотных транзисторов.
Предназначены для применения в быстродействующих импульсных и переключающих устройствах, различных каскадах вычислительных машин и другой радиоэлектронной аппаратуры.
2ТС613Б
Транзисторные матрицы 2ТС613Б состоят из четырех электрически изолированных кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n переключающих высокочастотных транзисторов.
Предназначены для применения в быстродействующих импульсных и переключающих устройствах, различных каскадах вычислительных машин и другой радиоэлектронной аппаратуры.
2ТС622А
Транзисторные матрицы 2ТС622А, 2ТС622Б, КТС622А, КТС622Б, состоящие из четырех электрически изолированных кремниевых эпитаксиально-планарных структуры p-n-p переключающих сверхвысокочастотных транзисторов.
Предназначены для применения в быстродействующих импульсных и переключающих устройствах.
2ТС622А-1
Транзисторные матрицы 2ТС622А-1, состоящие из четырех электрически изолированных кремниевых эпитаксиально-планарных структуры p-n-p переключающих сверхвысокочастотных транзисторов.
Предназначены для применения в быстродействующих импульсных и переключающих устройствах.
2ТС622Б
Транзисторные матрицы 2ТС622А, 2ТС622Б, КТС622А, КТС622Б, состоящие из четырех электрически изолированных кремниевых эпитаксиально-планарных структуры p-n-p переключающих сверхвысокочастотных транзисторов.
Предназначены для применения в быстродействующих импульсных и переключающих устройствах.
2ТС843А
Транзисторная сборка 2ТС843А состоит из четырех переключающих кремниевых мезапланарных структур n-p-n транзисторов.
Предназначена для применения в источниках вторичного электропитания в системах автоматического управления.
ГТС609Б
Транзисторные сборки ГТС609Б, состоящие из четырех германиевых диффузионио-сплавных р-п-р переключательных высокочастотных маломощных транзисторов.
Предназначены для применения в переключательных схемах.
Транзисторная сборка К1НТ661А, состоящая из четырех кремниевых эпитаксиально-планарных n-p-n переключательных высокочастотных маломощных транзисторов.
Предназначена для применения в переключательных схемах.
Выпускается в металлокерамическом корпусе с гибкими выводами.
КП826АС
Транзистор КП826АС кремниевый полевой n-канальный с изолированным затвором, выполненный по DMOS технологии.
Предназначен для использования в усилителях мощности на частотах до 80 МГц.
КП9103ГС
Транзисторная сборка КП9103ГС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по LDMOS технологии.
Предназначен для работы в аппаратуре радиосвязи с высокими требованиями по линейности и передающих станциях эфирного телевещания.
КП9110ЕС
Транзисторная сборка КП9110ЕС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по LDMOS технологии.
Предназначен для работы в бортовой и наземной радиопередающей авиационной аппаратуре, в системах навигации и радиолокации.
КП9110ЖС
Транзисторная сборка КП9110ЖС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по LDMOS технологии.
Предназначен для работы в бортовой и наземной радиопередающей авиационной аппаратуре, в системах навигации и радиолокации.
КП9111БС
Транзисторная сборка КП9111БС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по LDMOS технологии.
Предназначен для использования в усилителях мощности на частотах до 500 МГц.
КП9111ВС
Транзисторная сборка КП9111ВС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по LDMOS технологии.
Предназначен для использования в усилителях мощности на частотах до 500 МГц.
2П9115АС
Транзисторная сборка 2П9115АС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по LDMOS технологии.
Предназначена для применения в бортовой и наземной радиопередающей авиационной аппаратуре, в системах навигации и радиолокации.
КП9120АС
Транзисторная сборка КП9120АС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по LDMOS технологии.
Предназначен для работы в радиопередающей аппаратуре РЛС и других средств радиосвязи.
КП9120БС
Транзисторная сборка КП9120БС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по LDMOS технологии.
Предназначен для работы в радиопередающей аппаратуре РЛС и других средств радиосвязи.
КП9120ВС
Транзисторная сборка КП9120ВС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по LDMOS технологии.
Предназначен для работы в радиопередающей аппаратуре РЛС и других средств радиосвязи.
КП9121АС
Транзисторная сборка КП9121АС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по LDMOS технологии.
Предназначен для использования в усилителях мощности на частотах до 500 МГц.
КП9133ДС
Транзисторная сборка КП9133ДС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по LDMOS технологии.
Предназначен для работы в аппаратуре радиосвязи на частотах на частотах до 1440 МГц.
КП980БС
Транзисторная сборка КП980БС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по LDMOS технологии.
Предназначен для использования в усилителях мощности на частотах до 1000 МГц.
КП981БС
Транзисторная сборка КП981БС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по DMOS технологии.
Предназначен для использования в усилителях мощности на частотах до 500 МГц.
КП981ВС
Транзисторная сборка КП981ВС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по DMOS технологии.
Предназначен для использования в усилителях мощности на частотах до 500 МГц.
КП986ЕС
Транзисторная сборка КП986ЕС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по LDMOS технологии.
Предназначен для использования в усилителях мощности на частотах до 500 МГц.
КП998БС
Транзисторная сборка КП998БС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по LDMOS технологии.
Предназначен для использования в усилителях мощности на частотах до 500 МГц.
КПС104А
Транзисторная сборка КПС104А состоящая из двух кремниевых эпитаксиально-планарных ионнолегированных полевых с затвором на основе p-n перехода с каналом n-типа транзисторов.
Сборка предназначена для применения в входных каскадах дифференциальных малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением.
КПС104Б
Транзисторная сборка КПС104Б состоящая из двух кремниевых эпитаксиально-планарных ионнолегированных полевых с затвором на основе p-n перехода с каналом n-типа транзисторов.
Сборка предназначена для применения в входных каскадах дифференциальных малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением.
КПС104В
Транзисторная сборка КПС104В состоящая из двух кремниевых эпитаксиально-планарных ионнолегированных полевых с затвором на основе p-n перехода с каналом n-типа транзисторов.
Сборка предназначена для применения в входных каскадах дифференциальных малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением.
КПС104Г
Транзисторная сборка КПС104Г состоящая из двух кремниевых эпитаксиально-планарных ионнолегированных полевых с затвором на основе p-n перехода с каналом n-типа транзисторов.
Сборка предназначена для применения в входных каскадах дифференциальных малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением.
КТ9105АС
Сборки КT9105AC из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов.
Предназначены для применения в двухтактных широкополосных усилителях мощности в диапазоне частот 100-500 МГц при напряжении питания 28 В.
КТ9128АС
Сборка КТ9128АС из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов.
Предназначена для применения в двухтактных усилителях мощности в диапазоне частот 100-200 МГц в схеме ОЭ при напряжении питания 28 В.
КТ9142А
Транзисторная сборка КТ9142А из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов.
Предназначена для применения в двухтактных широкополосных усилителях мощности класса АВ в схеме с общим эмиттером в диапазоне частот 470-860 МГц при напряжении питания 28 В.
КТ9147АС
Транзисторная сборка КТ9147АС из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов.
Предназначена для применения в широкополосных усилителях мощности в режиме класса С в схеме с общим эмиттером в диапазоне частот 200-400 МГц при напряжении питания 28 В.
КТ9150А
Транзисторная сборка КТ9150А из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов.
Предназначена для применения в линейных усилителях мощности в режиме класса А в схеме с общим эмиттером в диапазоне частот 470-860 МГц при напряжении питания 25 В.
КТ9151А
Сборка КТ9151А состоит из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных линейных транзисторов.
Предназначена для применения в линейных усилителях мощности класса АВ в схеме с общим эмиттером в диапазоне частот 48-230 МГц при напряжении питания 28 В.
КТ9152А
Транзисторная сборка КТ9152А из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов.
Предназначена для применения в широкополосных двухтактных усилителях мощности в режиме класса АВ в схеме с общим эмиттером в диапазоне частот 470-860 МГц при напряжении питания 28 В.
КТ9153АС
Транзисторные сборки КТ9153АС из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов.
Предназначены для применения в широкополосных усилителях мощности в режиме класса АВ в двухтактной схеме с общей базой в диапазоне частот 390-840 МГц при напряжении питания 28 В.
КТ9153БС
Транзисторные сборки КТ9153БС из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов.
Предназначены для применения в широкополосных усилителях мощности в режиме класса АВ в двухтактной схеме с общей базой в диапазоне частот 390-840 МГц при напряжении питания 28 В.
КТ9155А
Транзисторная сборка КТ9155А из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных линейных транзисторов.
Предназначены для применения в двухтактных широкополосных усилителях мощности класса АВ в схеме с общей базой в диапазоне частот 150-860 МГц при напряжении питания 28 В.
КТ9155Б
Транзисторная сборка КТ9155Б из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных линейных транзисторов.
Предназначены для применения в двухтактных широкополосных усилителях мощности класса АВ в схеме с общей базой в диапазоне частот 150-860 МГц при напряжении питания 28 В.
КТ9155В
Транзисторная сборка КТ9155В из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных линейных транзисторов.
Предназначены для применения в двухтактных широкополосных усилителях мощности класса АВ в схеме с общей базой в диапазоне частот 150-860 МГц при напряжении питания 28 В.
КТ9156АС
Транзисторная сборка КТ9156АС из двух кремниевых n-p-n генераторных широкополосных транзисторов.
Предназначена для работы в двухтактных усилителях мощности в полосе частот 650-1000 МГц в схеме с общим эмиттером.
КТ9156БС
Транзисторная сборка КТ9156БС из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов.
Предназначены для применения в двухтактных широкополосных усилителях мощности класса АВ в схеме с общей базой в диапазоне частот 650-1000 МГц при напряжении питания 28 В.
КТ9164АС
Транзисторная сборка КТ9164АС из двух кремниевых эпитаксиально-планарных n-p-n мощных СВЧ импульсных генераторных транзисторов с общей базой.
Предназначена для работы в усилителях мощности в диапазоне частот 1030-1090 МГц аппаратуры специального назначения.
КТ9182А
Транзисторная сборка КТ9182А из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных линейных транзисторов.
Предназначена для применения в широкополосных двухтактных усилителях мощности в режиме класса «АВ» в схеме с общим эмиттером в диапазоне частот 470-860 МГц при напряжении питания 28 В.
КТ9195БС
Транзисторная сборка КТ9195БС из двух кремниевых n-p-n мощных импульсных СВЧ транзисторов с внутренними согласующимися цепями по входу.
Предназначена для работы для работы в усилителях мощности в диапазоне частот 720-1150 МГц в схеме с общей базой в режиме класса С.
КТ991АС
Сборки КТ991АС из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов.
Предназначены для применения в двухтактных широкополосных усилителях мощности в схеме с общей базой в полосе частот 350-700 МГц при напряжении питания 28 В.
КТС613Б
Транзисторные матрицы КТС613Б состоят из четырех электрически изолированных кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n переключающих высокочастотных транзисторов.
Предназначены для применения в быстродействующих импульсных и переключающих устройствах, различных каскадах вычислительных машин и другой радиоэлектронной аппаратуры.
Sales department
Увага!
Due to the large number of incoming orders, in order to speed up their processing, new applications are accepted only at
Email, or via the
, or via the
Ukraine, Lviv
Gorodotskaya, 222
Mon-Fri 8:00 - 18:00
Our works(35)
Installation of the lodgement and the STM-15000U.01 stand
Connecting the brake stand STM-15000U
Connecting a low-profile stand STM-3500MN
Installation of a two-speed stand STM-15000U.01
Work on the installation of the line of maintenance of trucks
Poll
How did you find out about zapadpribor.com?
Products in this category
Leading online store Zapadpribor - a huge selection of measuring equipment for the best value and quality. So you can buy inexpensive devices, we monitor competitors' prices and are always ready to offer a lower price. We only sell quality products at the best prices. On our site you can buy cheaply as the latest innovations and proven equipment from the best manufacturers.
The site includes a special offer «buy at the best price» - if other Internet resources (bulletin board, forum or announcement of another online service) in products presented on our site, the lower price, we will sell it to you even cheaper! Buyers also additional discount for leaving a review or photo of use of our products.
In the price list contains not the whole range of products offered. Prices of goods, not included in the price list can learn to contact the manager. Also, our managers You can get detailed information about how cheap and profitable to buy instrumentation wholesale and retail. Telephone and e-mail for advice on the purchase , delivery or receipt are shown on the description of the goods. We have the most qualified staff, quality equipment and the best price.
Online store Zapadpribor - the official manufacturer's dealer test equipment. Our goal - selling high quality goods with best price offer and service to our customers. Our store can not only sell you the necessary instrument, but also offer additional services to its calibration, repair and installation. That you have a pleasant experience when shopping on our site, we have provided special gifts guaranteed to the most popular products.
We offer fast international shipping to almost every country in the world: Australia, Austria, Azerbaijan, Albania, Algeria, Anguilla, Angola, Antigua and Barbuda, Argentina, Aruba, Bahamas, Bangladesh, Barbados, Bahrain, Belize, Belgium, Benin, Bermuda, Bulgaria, Bolivia, Bonaire, Sint-E. and Saba, Bosnia and Herzegovina, Botswana, Brazil, British Virgin Islands, Brunei Darussalam, Burkina Faso, Burundi, Bhutan, VietNam, Vanuatu, Vatican City, Venezuela, Armenia, Gabon, Guyana, Haiti, Gamia, Gambia, Ghana, Guatemala, Guinea, Gibraltar, Honduras, Hong Kong, Grenada, Greenland, Greece, Georgia, Denmark, Democratic Republic of the Congo, Jersey, Djibouti, Dominica, Dominican Republic, Ecuador, Eswatine, Estonia, Ethiopia, Egypt, Zambia, Zimbabwe, Jordan Indonesia, Ireland, Iceland, Spain, Italy, Cape Verde, Kazakhstan, Cayman Islands, Cambodia, Cameroon, Canada, Qatar, Kenya, Kyrgyzstan, China, Cyprus, Kiribati, Colombia, Comoros, Congo, Korea (Rep.), Costa Rica, Kot-d'Ivoire, Cuba, Kuwait, Curacao, Laos, Latvia, Lesotho, Lithuania, Liberia, Lebanon, Libya, Liechtenstein, Luxembourg, Myanmar, Mauritius, Mauritania, Madagascar, Macao, Malawi, Malaysia, Mali, Maldives, Malta, Morocco, Mexico, Mozambique, Moldova, Monaco, Monaco, Namibia, Nauru, Nepal, Niger, Nigeria, Netherlands, Germany, New Zealand, New Caledonia, Norway, UAE, Oman, Cook Islands, Pakistan, Palestine, Panama, Papua New Guinea, Paraguay, Peru, South Africa, Poland, Portugal, Republic of Chad, Rwanda, Romania, El Salvador, Samoa, San Marino, Saudi Arabia, Swaziland, Seychelles, Senegal, Saint Vincent and the Grenadines, Saint Kitts and Nevis, Saint Lucia, Serbia, Singapore, Sint Maarten, Slovakia, Slovenia, Solomon Islands, United Kingdom of Great Britain and Northern Ireland, Sudan, Suriname, East Timor (Timor-Leste), USA, Sierra Leone, Tajikistan, Taiwan, Thailand, Tanzania (United Republic of), Togo, Tonga, Trinidad and Tobago, Tuvalu, Tunisia, Turkey, Turkmenistan, Uganda, Hungary, Uzbekistan, Uruguay, Faroe Islands, Fiji, Philippines, Finland, France, French Polynesia, Croatia, Central African Republic, Czech Republic, Chile, Montenegro, Switzerland, Sweden, Sri Lanka, Jamaica, Japan.
We also provide such metrological procedure: calibration, tare, graduated, testing of measuring instruments.
The online store takes an active part in such procedures as electronic bidding, tender, auction.
If there is no site in the descriptive information you need on the device you can always turn to us for help. Our qualified managers will update for you on the technical characteristics of the device from its technical documentation: user manual, certificate, form, operating instructions, diagram. If necessary, we will take a photo of your device, or a device stand. You can leave feedback on the unit purchased from us, the meter, the device, indicator, or product. Your review for your approval will be published on the site without contact information.
Description of the instruments taken from the technical documentation or technical literature. Most pictures of products made directly by our experts prior to shipment of goods. In the description of the device provided the main technical characteristics of the instrument: nominal measuring range, accuracy class, scale, supply voltage, size (size), weight. If the site you see the discrepancy device name (model) specifications, photo or documents attached - let us know - you will get a useful gift with-selling device.
While the need to clarify the overall weight and size or the size of the individual meter you can in our service center. If you need our engineers will help you choose the most complete analog or a suitable replacement for the device you are interested. All counterparts and replacement will be tested in one of our laboratories with the full compliance to your requirements.
In the technical documentation for each device or product, information is provided on the list and amount of precious metals content. The documentation gives the exact weight in grams of precious metals: Au gold, palladium Pd, platinum Pt, silver Ag, tantalum Ta and other platinum group metals (PGM) per unit item. These precious metals are found in nature in very limited quantities and therefore have such a high price.
On our website you can familiarize yourself with the technical characteristics of devices and obtain information on the content of precious metals in devices and radio components manufactured in the USSR. We draw your attention to the fact that often the actual content of precious metals differs by 10-25% from the reference one in a smaller direction! The price of precious metals will depend on their value and mass in grams.
All text and graphic information on the site is informative. The color, shade, material, geometric dimensions, weight, content, delivery set and other parameters of the goods presented on the site may vary depending on the batch of production and year of manufacture. Check with the sales department for more information.
If you can make repairs to the device yourself, our engineers can provide you with a complete set of necessary technical documentation: circuit diagram TO, ER, FD, PS. We also have an extensive database of technical and metrological documents: technical specifications (TS), the terms of reference (TOR), GOST (DSTU), the industry standard (OST) test procedure, the method of certification, verification scheme for more than 3,500 types of measuring equipment from the manufacturer this equipment. From the site you can download all the necessary software (the software driver) is required for the product purchased.
We carries out repairs and maintenance of measuring equipment in more than 75 different factories of the former Soviet Union and CIS.
We also have a library of legal documents that are related to our field of activity: the law, code, ordinance, decree, temporary position.