збірки транзисторні (2П, 2Т, КП, КТ та інші)
1НТ251
Транзисторные сборки 1НТ251, состоящие из четырех кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n переключательных транзисторов.
Предназначены для применения в переключающих устройствах.
1НТ251А
Транзисторные сборки 1НТ251А, состоящие из четырех кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n переключательных транзисторов.
Предназначены для применения в переключающих устройствах.
1НТ251А2
Транзисторные сборки 1НТ251А2, состоящие из четырех кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n переключательных транзисторов.
Предназначены для применения в переключающих устройствах.
1ТС609А
Транзисторные сборки 1ТС609А, состоящие из четырех германиевых диффузионио-сплавных р-п-р переключательных высокочастотных маломощных транзисторов.
Предназначены для применения в переключательных схемах.
1ТС609Б
Транзисторные сборки 1ТС609Б, состоящие из четырех германиевых диффузионио-сплавных р-п-р переключательных высокочастотных маломощных транзисторов.
Предназначены для применения в переключательных схемах.
2П7120ВС
Транзисторная сборка 2П7120ВС кремниевых эпитаксиально-планарных полевых с изолированным затвором мощных переключательных транзисторов.
Корпусное исполнение: 427.8-1.
2П7240БС9
Транзисторная сборка 2П7240БС9 n-канальная переключательная с рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт, с максимальной рабочей частотой более 3 МГц, но не более 30 МГц-
Корпусное исполнение: 4320.8-А.
2П7240ВС9
Транзисторная сборка 2П7240ВС9 n-канальная переключательная с рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт, с максимальной рабочей частотой более 3 МГц, но не более 30 МГц-
Корпусное исполнение: 4320.8-А.
2П826АС
Транзистор 2П826АС кремниевый полевой n-канальный с изолированным затвором, выполненный по DMOS технологии.
Предназначен для использования в усилителях мощности на частотах до 80 МГц.
2П9103ГС
Транзисторная сборка 2П9103ГС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по LDMOS технологии.
Предназначен для работы в аппаратуре радиосвязи с высокими требованиями по линейности и передающих станциях эфирного телевещания.
2П9103ДС
Транзисторная сборка 2П9103ДС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по LDMOS технологии.
Предназначен для работы в аппаратуре радиосвязи с высокими требованиями по линейности и передающих станциях эфирного телевещания.
2П9110ЕС
Транзисторная сборка 2П9110ЕС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по LDMOS технологии.
Предназначен для работы в бортовой и наземной радиопередающей авиационной аппаратуре, в системах навигации и радиолокации.
2П9111БС
Транзисторная сборка 2П9111БС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по LDMOS технологии.
Предназначен для использования в усилителях мощности на частотах до 500 МГц.
2П9111ВС
Транзисторная сборка 2П9111ВС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по LDMOS технологии.
Предназначен для использования в усилителях мощности на частотах до 500 МГц.
2П9115АС
Транзисторная сборка 2П9115АС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по LDMOS технологии.
Предназначена для применения в бортовой и наземной радиопередающей авиационной аппаратуре, в системах навигации и радиолокации.
2П9120ВС
Транзисторная сборка 2П9120ВС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по LDMOS технологии.
Предназначен для работы в радиопередающей аппаратуре РЛС и других средств радиосвязи.
2П980БС
Транзисторная сборка 2П980БС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по LDMOS технологии.
Предназначен для использования в усилителях мощности на частотах до 1000 МГц.
2П981БС
Транзисторная сборка 2П981БС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по DMOS технологии.
Предназначен для использования в усилителях мощности на частотах до 500 МГц.
2П981ВС
Транзисторная сборка 2П981ВС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по DMOS технологии.
Предназначен для использования в усилителях мощности на частотах до 500 МГц.
2П986ЕС
Транзисторная сборка 2П986ЕС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по LDMOS технологии.
Предназначен для использования в усилителях мощности на частотах до 500 МГц.
2П998БС
Транзисторная сборка 2П998БС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по LDMOS технологии.
Предназначен для использования в усилителях мощности на частотах до 500 МГц.
2ПС104А
Транзисторная сборка 2ПС104А состоящая из двух кремниевых эпитаксиально-планарных ионнолегированных полевых с затвором на основе p-n перехода с каналом n-типа транзисторов.
Предназначена для применения в входных каскадах дифференциальных малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением.
2ПС104Г
Транзисторная сборка 2ПС104Г состоящая из двух кремниевых эпитаксиально-планарных ионнолегированных полевых с затвором на основе p-n перехода с каналом n-типа транзисторов.
Предназначена для применения в входных каскадах дифференциальных малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением.
2ПС104Д
Транзисторная сборка 2ПС104Д состоящая из двух кремниевых эпитаксиально-планарных ионнолегированных полевых с затвором на основе p-n перехода с каналом n-типа транзисторов.
Предназначена для применения в входных каскадах дифференциальных малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением.
2ПС202А-1
Транзисторная сборка 2ПС202А-1 состоящая из двух кремниевых эпитаксиально-планарных ионно-легированных полевых малошумящих транзисторов с p-n переходом и каналом n-типа.
Сборка предназначена для применения в входных каскадах дифференциальных малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением.
2ПС202Б-1
Транзисторная сборка 2ПС202Б-1 состоящая из двух кремниевых эпитаксиально-планарных ионно-легированных полевых малошумящих транзисторов с p-n переходом и каналом n-типа.
Сборка предназначена для применения в входных каскадах дифференциальных малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением.
2ПС202В-1
Транзисторная сборка 2ПС202В-1 состоящая из двух кремниевых эпитаксиально-планарных ионно-легированных полевых малошумящих транзисторов с p-n переходом и каналом n-типа.
Сборка предназначена для применения в входных каскадах дифференциальных малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением.
2ПС202Г-1
Транзисторная сборка 2ПС202Г-1 состоящая из двух кремниевых эпитаксиально-планарных ионно-легированных полевых малошумящих транзисторов с p-n переходом и каналом n-типа.
Сборка предназначена для применения в входных каскадах дифференциальных малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением.
2Т687АС-2
Транзисторные сборки 2Т687АС-2 состоящие из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры p-n-p переключающих транзисторов.
Предназначены для применения в импульсных линейных усилителях и преобразователях.
2Т687БС-2
Транзисторные сборки 2Т687БС-2 состоящие из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры p-n-p переключающих транзисторов.
Предназначены для применения в импульсных линейных усилителях и преобразователях.
2Т689АС
Транзисторы 2Т689АС p-n-p биполярные переключательные импульсные с рассеиваемой мощностью не более 0.4 Вт, с граничной частотой коэффициента передачи тока не более 300 МГц.
Тип корпуса: 401.14-6.
2Т690АС
Транзисторы 2Т690АС n-p-n биполярные переключательные импульсные с рассеиваемой мощностью не более 0.4 Вт, с граничной частотой коэффициента передачи тока не более 300 МГц.
Тип корпуса: 401.14-6.
2Т693АС
Сборки 2Т693АС из четырех кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n транзисторов с рассеиваемой мощностью не более 1.5 Вт, с граничной частотой коэффициента передачи тока не более 300 МГц.
Тип корпуса: 401.14-5M.
2Т9101АС
Сборки 2Т9101АС из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов.
Предназначены для применения в двухтактных широкополосных усилителях мощности в диапазоне частот 350-700 МГц в схеме с общей базой при напряжении питания 28 В.
2Т9105АС
Сборки 2Т9105АС из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов.
Предназначены для применения в двухтактных широкополосных усилителях мощности в диапазоне частот 100-500 МГц при напряжении питания 28 В.
2Т9125АС
Транзисторная сборка 2Т9125АС из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов.
Предназначена для применения в двухтактных широкополосных усилителях мощности и генераторах в диапазоне частот 100-500 МГц в схеме ОЭ при напряжении питания 28 В.
2Т9128АС
Сборка 2Т9128АС из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов.
Предназначена для применения в двухтактных усилителях мощности в диапазоне частот 100-200 МГц в схеме ОЭ при напряжении питания 28 В.
2Т9132АС
Транзисторная сборка 2Т9132АС из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов.
Предназначена для применения в двухтактных широкополосных усилителях и генераторах в полосе частот 350-700 МГц в схеме ОБ при напряжении питания 31 В.
2Т9136АС
Транзисторная сборка 2Т9136АС из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов.
Предназначена для применения в импульсных генераторах, усилителях мощности в диапазоне частот 200-500 МГц в схеме ОБ при напряжении питания 45 В.
2Т9153АС
Транзисторная сборка 2Т9153АС из двух кремниевых n-p-n генераторных СВЧ широкополосных транзисторов с общим эмиттером и балластными резисторами в цепи эмиттера.
Предназначена для работы в двухтактных усилителях мощности в полосе частот 390-840 МГц в схеме с общим эмиттером.
2Т9153БС
Транзисторная сборка 2Т9153БС из двух кремниевых n-p-n генераторных СВЧ широкополосных транзисторов с общим эмиттером и балластными резисторами в цепи эмиттера.
Предназначена для работы в двухтактных усилителях мощности в полосе частот 390-840 МГц в схеме с общим эмиттером.
2Т9156АС
Транзисторная сборка 2Т9156АС из двух кремниевых n-p-n генераторных широкополосных транзисторов.
Предназначена для работы в двухтактных усилителях мощности в полосе частот 650-1000 МГц в схеме с общим эмиттером.
2Т9156БС
Транзисторная сборка 2Т9156БС из двух кремниевых n-p-n генераторных широкополосных транзисторов.
Предназначена для работы в двухтактных усилителях мощности в полосе частот 650-1000 МГц в схеме с общим эмиттером.
2Т9161АС
Транзисторная сборка 2Т9161АС из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов.
Предназначена для применения в двухтактных импульсных усилителях мощности и генераторах в схеме с общей базой в диапазоне частот 200-500 МГц при напряжении питания 45 В.
2Т9164АС
Транзисторная сборка 2Т9156АС из двух кремниевых эпитаксиально-планарных n-p-n мощных СВЧ импульсных генераторных транзисторов с общей базой.
Предназначена для работы в усилителях мощности в диапазоне частот 1030-1090 МГц аппаратуры специального назначения.
2Т9195БС
Транзисторная сборка 2Т9195БС из двух кремниевых n-p-n мощных импульсных СВЧ транзисторов с внутренними согласующимися цепями по входу.
Предназначена для работы для работы в усилителях мощности в диапазоне частот 720-1150 МГц в схеме с общей базой в режиме класса С.
2Т985АС
Сборки 2Т985АС из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов.
Предназначены для применения в двухтактных широкополосных усилителях мощности в диапазоне частот 220-400 МГц при напряжении питания 28 В.
2Т991АС
Сборки 2Т991АС из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов.
Предназначены для применения в двухтактных широкополосных усилителях мощности в схеме с общей базой в полосе частот 350-700 МГц при напряжении питания 28 В.
2ТС3103А
Транзисторные сборки 2ТС3103А, состоящие каждая из двух кремниевых планарных структуры p-n-p усилительных транзисторов с раздельными выводами.
Предназначены для применения в дифференциальных усилительных каскадах.
2ТС3103Б
Транзисторные сборки 2ТС3103Б, состоящие каждая из двух кремниевых планарных структуры p-n-p усилительных транзисторов с раздельными выводами.
Предназначены для применения в дифференциальных усилительных каскадах.
2ТС393А-1
Транзисторные сборки 2ТС393А-1, состоящие из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры p-n-p усилительных транзисторов на одном кристалле с раздельными выводами.
Предназначены для применения в широкополосных балансных, дифференциальных и операционных усилителях и других каскадах герметизированной аппаратуры, в которых требуется идентичность параметров двух транзисторов.
2ТС393А-1Н
Транзисторные сборки 2ТС393А-1Н, состоящие из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры p-n-p усилительных транзисторов на одном кристалле с раздельными выводами.
Транзисторные сборки, состоящие из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры p-n-p усилительных транзисторов на одном кристалле с раздельными выводами.
2ТС393Б-1
Транзисторные сборки 2ТС393Б-1, состоящие из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры p-n-p усилительных транзисторов на одном кристалле с раздельными выводами.
Транзисторные сборки, состоящие из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры p-n-p усилительных транзисторов на одном кристалле с раздельными выводами.
2ТС398А-1
Транзисторные сборки 2ТС398А-1, состоящие каждая из двух изготовленных на одном кристалле кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n усилительных транзисторов с раздельными выводами.
Предназначены для применения в герметизированной аппаратуре в широкополосных балансных, дифференциальных и операционных усилителях и других каскадах, в которых требуется идентичность параметров двух транзисторов.
2ТС398Б-1
Транзисторные сборки 2ТС398Б-1, состоящие каждая из двух изготовленных на одном кристалле кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n усилительных транзисторов с раздельными выводами.
Предназначены для применения в герметизированной аппаратуре в широкополосных балансных, дифференциальных и операционных усилителях и других каскадах, в которых требуется идентичность параметров двух транзисторов.
2ТС613А
Транзисторные матрицы 2ТС613А состоят из четырех электрически изолированных кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n переключающих высокочастотных транзисторов.
Предназначены для применения в быстродействующих импульсных и переключающих устройствах, различных каскадах вычислительных машин и другой радиоэлектронной аппаратуры.
2ТС613Б
Транзисторные матрицы 2ТС613Б состоят из четырех электрически изолированных кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n переключающих высокочастотных транзисторов.
Предназначены для применения в быстродействующих импульсных и переключающих устройствах, различных каскадах вычислительных машин и другой радиоэлектронной аппаратуры.
2ТС622А
Транзисторные матрицы 2ТС622А, 2ТС622Б, КТС622А, КТС622Б, состоящие из четырех электрически изолированных кремниевых эпитаксиально-планарных структуры p-n-p переключающих сверхвысокочастотных транзисторов.
Предназначены для применения в быстродействующих импульсных и переключающих устройствах.
2ТС622А-1
Транзисторные матрицы 2ТС622А-1, состоящие из четырех электрически изолированных кремниевых эпитаксиально-планарных структуры p-n-p переключающих сверхвысокочастотных транзисторов.
Предназначены для применения в быстродействующих импульсных и переключающих устройствах.
2ТС622Б
Транзисторные матрицы 2ТС622А, 2ТС622Б, КТС622А, КТС622Б, состоящие из четырех электрически изолированных кремниевых эпитаксиально-планарных структуры p-n-p переключающих сверхвысокочастотных транзисторов.
Предназначены для применения в быстродействующих импульсных и переключающих устройствах.
2ТС843А
Транзисторная сборка 2ТС843А состоит из четырех переключающих кремниевых мезапланарных структур n-p-n транзисторов.
Предназначена для применения в источниках вторичного электропитания в системах автоматического управления.
ГТС609Б
Транзисторные сборки ГТС609Б, состоящие из четырех германиевых диффузионио-сплавных р-п-р переключательных высокочастотных маломощных транзисторов.
Предназначены для применения в переключательных схемах.
Транзисторная сборка К1НТ661А, состоящая из четырех кремниевых эпитаксиально-планарных n-p-n переключательных высокочастотных маломощных транзисторов.
Предназначена для применения в переключательных схемах.
Выпускается в металлокерамическом корпусе с гибкими выводами.
КП826АС
Транзистор КП826АС кремниевый полевой n-канальный с изолированным затвором, выполненный по DMOS технологии.
Предназначен для использования в усилителях мощности на частотах до 80 МГц.
КП9103ГС
Транзисторная сборка КП9103ГС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по LDMOS технологии.
Предназначен для работы в аппаратуре радиосвязи с высокими требованиями по линейности и передающих станциях эфирного телевещания.
КП9110ЕС
Транзисторная сборка КП9110ЕС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по LDMOS технологии.
Предназначен для работы в бортовой и наземной радиопередающей авиационной аппаратуре, в системах навигации и радиолокации.
КП9110ЖС
Транзисторная сборка КП9110ЖС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по LDMOS технологии.
Предназначен для работы в бортовой и наземной радиопередающей авиационной аппаратуре, в системах навигации и радиолокации.
КП9111БС
Транзисторная сборка КП9111БС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по LDMOS технологии.
Предназначен для использования в усилителях мощности на частотах до 500 МГц.
КП9111ВС
Транзисторная сборка КП9111ВС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по LDMOS технологии.
Предназначен для использования в усилителях мощности на частотах до 500 МГц.
2П9115АС
Транзисторная сборка 2П9115АС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по LDMOS технологии.
Предназначена для применения в бортовой и наземной радиопередающей авиационной аппаратуре, в системах навигации и радиолокации.
КП9120АС
Транзисторная сборка КП9120АС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по LDMOS технологии.
Предназначен для работы в радиопередающей аппаратуре РЛС и других средств радиосвязи.
КП9120БС
Транзисторная сборка КП9120БС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по LDMOS технологии.
Предназначен для работы в радиопередающей аппаратуре РЛС и других средств радиосвязи.
КП9120ВС
Транзисторная сборка КП9120ВС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по LDMOS технологии.
Предназначен для работы в радиопередающей аппаратуре РЛС и других средств радиосвязи.
КП9121АС
Транзисторная сборка КП9121АС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по LDMOS технологии.
Предназначен для использования в усилителях мощности на частотах до 500 МГц.
КП9133ДС
Транзисторная сборка КП9133ДС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по LDMOS технологии.
Предназначен для работы в аппаратуре радиосвязи на частотах на частотах до 1440 МГц.
КП980БС
Транзисторная сборка КП980БС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по LDMOS технологии.
Предназначен для использования в усилителях мощности на частотах до 1000 МГц.
КП981БС
Транзисторная сборка КП981БС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по DMOS технологии.
Предназначен для использования в усилителях мощности на частотах до 500 МГц.
КП981ВС
Транзисторная сборка КП981ВС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по DMOS технологии.
Предназначен для использования в усилителях мощности на частотах до 500 МГц.
КП986ЕС
Транзисторная сборка КП986ЕС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по LDMOS технологии.
Предназначен для использования в усилителях мощности на частотах до 500 МГц.
КП998БС
Транзисторная сборка КП998БС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по LDMOS технологии.
Предназначен для использования в усилителях мощности на частотах до 500 МГц.
КПС104А
Транзисторная сборка КПС104А состоящая из двух кремниевых эпитаксиально-планарных ионнолегированных полевых с затвором на основе p-n перехода с каналом n-типа транзисторов.
Сборка предназначена для применения в входных каскадах дифференциальных малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением.
КПС104Б
Транзисторная сборка КПС104Б состоящая из двух кремниевых эпитаксиально-планарных ионнолегированных полевых с затвором на основе p-n перехода с каналом n-типа транзисторов.
Сборка предназначена для применения в входных каскадах дифференциальных малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением.
КПС104В
Транзисторная сборка КПС104В состоящая из двух кремниевых эпитаксиально-планарных ионнолегированных полевых с затвором на основе p-n перехода с каналом n-типа транзисторов.
Сборка предназначена для применения в входных каскадах дифференциальных малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением.
КПС104Г
Транзисторная сборка КПС104Г состоящая из двух кремниевых эпитаксиально-планарных ионнолегированных полевых с затвором на основе p-n перехода с каналом n-типа транзисторов.
Сборка предназначена для применения в входных каскадах дифференциальных малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением.
КТ9105АС
Сборки КT9105AC из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов.
Предназначены для применения в двухтактных широкополосных усилителях мощности в диапазоне частот 100-500 МГц при напряжении питания 28 В.
КТ9128АС
Сборка КТ9128АС из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов.
Предназначена для применения в двухтактных усилителях мощности в диапазоне частот 100-200 МГц в схеме ОЭ при напряжении питания 28 В.
КТ9142А
Транзисторная сборка КТ9142А из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов.
Предназначена для применения в двухтактных широкополосных усилителях мощности класса АВ в схеме с общим эмиттером в диапазоне частот 470-860 МГц при напряжении питания 28 В.
КТ9147АС
Транзисторная сборка КТ9147АС из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов.
Предназначена для применения в широкополосных усилителях мощности в режиме класса С в схеме с общим эмиттером в диапазоне частот 200-400 МГц при напряжении питания 28 В.
КТ9150А
Транзисторная сборка КТ9150А из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов.
Предназначена для применения в линейных усилителях мощности в режиме класса А в схеме с общим эмиттером в диапазоне частот 470-860 МГц при напряжении питания 25 В.
КТ9151А
Сборка КТ9151А состоит из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных линейных транзисторов.
Предназначена для применения в линейных усилителях мощности класса АВ в схеме с общим эмиттером в диапазоне частот 48-230 МГц при напряжении питания 28 В.
КТ9152А
Транзисторная сборка КТ9152А из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов.
Предназначена для применения в широкополосных двухтактных усилителях мощности в режиме класса АВ в схеме с общим эмиттером в диапазоне частот 470-860 МГц при напряжении питания 28 В.
КТ9153АС
Транзисторные сборки КТ9153АС из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов.
Предназначены для применения в широкополосных усилителях мощности в режиме класса АВ в двухтактной схеме с общей базой в диапазоне частот 390-840 МГц при напряжении питания 28 В.
КТ9153БС
Транзисторные сборки КТ9153БС из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов.
Предназначены для применения в широкополосных усилителях мощности в режиме класса АВ в двухтактной схеме с общей базой в диапазоне частот 390-840 МГц при напряжении питания 28 В.
КТ9155А
Транзисторная сборка КТ9155А из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных линейных транзисторов.
Предназначены для применения в двухтактных широкополосных усилителях мощности класса АВ в схеме с общей базой в диапазоне частот 150-860 МГц при напряжении питания 28 В.
КТ9155Б
Транзисторная сборка КТ9155Б из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных линейных транзисторов.
Предназначены для применения в двухтактных широкополосных усилителях мощности класса АВ в схеме с общей базой в диапазоне частот 150-860 МГц при напряжении питания 28 В.
КТ9155В
Транзисторная сборка КТ9155В из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных линейных транзисторов.
Предназначены для применения в двухтактных широкополосных усилителях мощности класса АВ в схеме с общей базой в диапазоне частот 150-860 МГц при напряжении питания 28 В.
КТ9156АС
Транзисторная сборка КТ9156АС из двух кремниевых n-p-n генераторных широкополосных транзисторов.
Предназначена для работы в двухтактных усилителях мощности в полосе частот 650-1000 МГц в схеме с общим эмиттером.
КТ9156БС
Транзисторная сборка КТ9156БС из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов.
Предназначены для применения в двухтактных широкополосных усилителях мощности класса АВ в схеме с общей базой в диапазоне частот 650-1000 МГц при напряжении питания 28 В.
КТ9164АС
Транзисторная сборка КТ9164АС из двух кремниевых эпитаксиально-планарных n-p-n мощных СВЧ импульсных генераторных транзисторов с общей базой.
Предназначена для работы в усилителях мощности в диапазоне частот 1030-1090 МГц аппаратуры специального назначения.
КТ9182А
Транзисторная сборка КТ9182А из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных линейных транзисторов.
Предназначена для применения в широкополосных двухтактных усилителях мощности в режиме класса «АВ» в схеме с общим эмиттером в диапазоне частот 470-860 МГц при напряжении питания 28 В.
КТ9195БС
Транзисторная сборка КТ9195БС из двух кремниевых n-p-n мощных импульсных СВЧ транзисторов с внутренними согласующимися цепями по входу.
Предназначена для работы для работы в усилителях мощности в диапазоне частот 720-1150 МГц в схеме с общей базой в режиме класса С.
КТ991АС
Сборки КТ991АС из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов.
Предназначены для применения в двухтактных широкополосных усилителях мощности в схеме с общей базой в полосе частот 350-700 МГц при напряжении питания 28 В.
КТС613Б
Транзисторные матрицы КТС613Б состоят из четырех электрически изолированных кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n переключающих высокочастотных транзисторов.
Предназначены для применения в быстродействующих импульсных и переключающих устройствах, различных каскадах вычислительных машин и другой радиоэлектронной аппаратуры.
Відділ продажу
Увага!
В зв’язку з великою кількістю вхідних замовлень, для пришвидшення їх обробки, нові заявки приймаються тільки на
Email, або через кнопку
, або через кнопку
Україна, Львів
вул. Городоцька, 222
Пн-Пт 8:00 - 18:00
Наші роботи(35)
Монтаж ложемента і установка стенда СТМ-15000У.01
Підключення гальмівного стенда СТМ-15000У
Підключення стенда низькопрофільного СТМ-3500МН
Установка двохшвидкісного стенда СТМ-15000У.01
Робота по монтажу лінії ТО вантажних автомобілів
Опитування
Звідки ви дізналися про сайт zapadpribor.com?
Товари в цій категорії
Провідний інтернет-магазин Західприлад - це величезний вибір вимірювального обладнання по кращому співвідношенню ціна і якість. Щоб Ви могли купити прилади недорого, ми проводимо моніторинг цін конкурентів і завжди готові запропонувати більш низьку ціну. Ми продаємо тільки якісні товари за найкращими цінами. На нашому сайті Ви можете дешево купити як останні новинки, так і перевірені часом прилади від найкращих виробників.
На сайті постійно діє акція «Куплю за найкращою ціною» - якщо на іншому інтернет-ресурсі (дошка оголошень, форум або оголошення іншого інтернет-сервісу) у товару, представленого на нашому сайті, менша ціна, то ми продамо Вам його ще дешевше! Покупцям також надається додаткова знижка за залишений відгук або фотографії застосування наших товарів.
У прайс-листі вказана не вся номенклатура пропонованої продукції. Ціни на товари, що не ввійшли в прайс-лист можете дізнатися, зв'язавшись з менеджерами. Також у наших менеджерів Ви можете отримати детальну інформацію про те, як дешево і вигідно купити вимірювальні прилади оптом і в роздріб. Телефон та електронна пошта для консультацій з питань придбання, доставки або отримання знижки наведені над описом товару. У нас найкваліфікованіші співробітники, якісне обладнання та вигідна ціна.
Ми пропонуємо швидку міжнародну доставку практично у всі країни світу: Австралія, Австрія, Азербайджан, Албанія, Алжир, Ангілья, Ангола, Антигуа і Барбуда, Аргентина, Аруба, Багамські острови, Бангладеш, Барбадос, Бахрейн, Беліз, Бельгія, Бенін, Бермуди, Болгарія, Болівія, Бонайре, Сінт-Естатіус і Саба, Боснія і Герцеговина, Ботсвана, Бразилія, Британські Віргінські Острови, Бруней Даруссалам, Буркіна Фасо, Бурунді, Бутан, В’єтнам, Вануату, Ватикан, Венесуела, Вірменія, Габон, Гайана, Гаїті, Гамбія, Гана, Гватемала, Гвінея, Гібралтар, Гондурас, Гонконг, Гренада, Гренландія, Греція, Грузія, Данія, Демократична Республіка Конго, Джерсі, Джибуті, Домініка, Домініканська Республіка, Еквадор, Есватіні, Естонія, Ефіопія, Єгипет, Замбія, Зімбабве, Йорданія, Ізраїль, Індія, Індонезія, Ірландія, Ісландія, Іспанія, Італія, Кабо-Верде, Казахстан, Кайманові острови, Камбоджа, Камерун, Канада, Катар, Кенія, Киргизстан, Китай, Кіпр, Кірібаті, Колумбія, Коморські острови, Конго, Корея (Республіка), Коста-Ріка, Кот-д’Івуар, Куба, Кувейт, Кюрасао, Лаос, Латвія, Лесото, Литва, Ліберія, Ліван, Лівія, Ліхтенштейн, Люксембург, М’янма, Маврикій, Мавританія, Мадагаскар, Макао, Малаві, Малайзія, Малі, Мальдіви, Мальта, Марокко, Мексика, Мозамбік, Молдова, Монако, Монголія, Монтсеррат, Намібія, Науру, Непал, Нігер, Нігерія, Нідерланди, Німеччина, Нова Зеландія, Нова Каледонія, Норвегія, ОАЕ, Оман, Острови Кука, Пакистан, Палестина, Панама, Папуа Нова Гвінея, Парагвай, Перу, Південна Африка, Північна Македонія, Польща, Португалія, Республіка Чад, Руанда, Румунія, Сальвадор, Самоа, Сан-Марино, Саудівська Аравія, Свазіленд, Сейшельські острови, Сенегал, Сент-Вінсент і Гренадіни, Сент-Кітс і Невіс, Сент-Люсія, Сербія, Сінгапур, Сінт-Мартен, Словаччина, Словенія, Соломонові острови, Сполучене Королівство Великої Британії та Пн Ірландії, Судан, Суринам, Східний Тимор (Тимор-Лешті), США, Сьєрра-Леоне, Таджикистан, Тайвань, Таїланд, Танзанія (Об’єднана Республіка), Того, Тонга, Тринідад і Тобаго, Тувалу, Туніс, Туреччина, Туркменістан, Уганда, Угорщина, Узбекистан, Уругвай, Фарерські острови, Фіджі, Філіппіни, Фінляндія, Франція, Французька Полінезія, Хорватія, Центральноафриканська Республіка, Чеська Республіка, Чілі, Чорногорія, Швейцарія, Швеція, Шрі-Ланка, Ямайка, Японія.
Інтернет-магазин Західприлад - офіційний дилер заводів виробників вимірювального обладнання. Наша мета - продаж товарів високої якості з кращими ціновими пропозиціями і сервісом для наших клієнтів. Наш интернет-магазин може не лише продати необхідний Вам прилад, але й запропонувати додаткові послуги з його повірки, ремонту та монтажу. Щоб у Вас залишилися приємні враження після покупки на нашому офіційному сайты, ми передбачили спеціальні гарантовані подарунки до найпопулярніших товарів.
Ви можете залишити відгуки на придбаний у нас прилад, вимірювач, пристрій, індикатор або виріб. Ваш відгук при Вашій згоді буде опублікований на сайті без надання контактної інформації.
Інтернет магазин приймає активну участь в таких процедурах як електронні торги, тендер, аукціон.
За відсутності на сайті в технічному описі необхідної Вам інформації про прилад Ви завжди можете звернутися до нас за допомогою. Наші кваліфіковані менеджери уточнять для Вас технічні характеристики на прилад з його технічної документації: інструкція з експлуатації, паспорт, формуляр, керівництво з експлуатації, схеми. При необхідності ми зробимо фотографії приладу, стенду або пристрою, який Вас цікавить.
Опис на прилади взято з технічної документації або з технічної літератури. Більшість фото виробів зроблені безпосередньо нашими фахівцями перед відвантаженням товару. В описі пристрою надані основні технічні характеристики приладів: номінал, діапазон вимірювання, клас точності, шкала, напруга живлення, габарити (розмір), вага. Якщо на сайті Ви побачили невідповідність назви приладу (модель) технічним характеристикам, фото або прикріпленим документам - повідомте про це нас - Ви отримаєте корисний подарунок разом з купленим приладом.
При потребі, Ви можете уточнити загальну вагу і габарити або розмір окремої частини вимірювача в нашому сервісному центрі. Наші інженери допоможуть підібрати повний аналог або найбільш підходящу заміну на прилад, який Вас зацікавив. Всі аналоги і заміна будуть протестовані в одній з наших лабораторій на повну відповідність Вашим вимогам.
Наш технічний відділ здійснює ремонт і сервісне обслуговування вимірювальної техніки більш ніж 75 різних заводів виробників колишнього СРСР і СНД. Також ми здійснюємо такі метрологічні процедури: калібрування, тарування, градуювання, випробування засобів вимірювальної техніки.
У технічній документації на кожен прилад або виріб вказується інформація щодо переліку та кількості вмісту дорогоцінних металів. У документації наводиться точна маса в грамах вмісту дорогоцінних металів: золото Au, паладій Pd, платина Pt, срібло Ag, тантал Ta і інші метали платинової групи (МПГ) на одиницю виробу. Дані дорогоцінні метали знаходяться в природі у дуже обмеженій кількості і тому мають таку високу ціну. У нас на сайті Ви можете ознайомитися з технічними характеристиками приладів і отримати відомості про вміст дорогоцінних металів в приладах і радіодеталях виробництва СРСР. Звертаємо вашу увагу, що часто реальний вміст дорогоцінних металів на 10-25% відрізняється від довідкового в меншу сторону! Ціна дорогоцінних металів буде залежати від їх цінності і маси в грамах.
Вся текстова та графічна інформація на сайті несе інформативний характер. Колір, відтінок, матеріал, геометричні розміри, вага, вміст, комплект поставки та інші параметри товару представленого на сайті можуть змінюватися в залежності від партії виробництва і року виготовлення. Більш детальну інформацію уточнюйте у відділі продажів.
Також ми маємо в своєму розпорядженні велику базу технічних і метрологічних документів: технічні умови (ТУ), технічне завдання (ТЗ), ГОСТ, галузевий стандарт (ГСТ), методика повірки, методика атестації, перевірочна схема для більш ніж 3500 типів вимірювальної техніки від виробника даного обладнання.
З сайту Ви можете завантажити весь необхідний софт (програма, драйвер) необхідний для роботи придбаного пристрою.
Також у нас є бібліотека нормативно-правових документів, які пов'язані з нашою сферою діяльності: закон, кодекс, постанова, указ, тимчасове положення.
На вимогу замовника на кожен вимірювальний прилад надається повірка або метрологічна атестація.
Якщо Ви можете зробити ремонт пристрою самостійно, то наші інженери можуть надати Вам повний комплект необхідної технічної документації: електрична схема, ТО, РЕ, ФО, ПС.