Каталог товаров

сборки транзисторные (2П, 2Т, КП, КТ и другие)

1НТ251

1НТ251
Транзисторные сборки 1НТ251, состоящие из четырех кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n переключательных транзисторов.
Предназначены для применения в переключающих устройствах.

Подробнее ...

1НТ251А

1НТ251А
Транзисторные сборки 1НТ251А, состоящие из четырех кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n переключательных транзисторов.
Предназначены для применения в переключающих устройствах.

Подробнее ...

1НТ251А2

1НТ251А2
Транзисторные сборки 1НТ251А2, состоящие из четырех кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n переключательных транзисторов.
Предназначены для применения в переключающих устройствах.

Подробнее ...

1ТС609А

1ТС609А
Транзисторные сборки 1ТС609А, состоящие из четырех германиевых диффузионио-сплавных р-п-р переключательных высокочастотных маломощных транзисторов.
Предназначены для применения в переключательных схемах.

Подробнее ...

1ТС609Б

1ТС609Б
Транзисторные сборки 1ТС609Б, состоящие из четырех германиевых диффузионио-сплавных р-п-р переключательных высокочастотных маломощных транзисторов.
Предназначены для применения в переключательных схемах.

Подробнее ...

2П7120ВС

2П7120ВС
Транзисторная сборка 2П7120ВС кремниевых эпитаксиально-планарных полевых с изолированным затвором мощных переключательных транзисторов.
Корпусное исполнение: 427.8-1.

Подробнее ...

2П7240БС9

2П7240БС9
Транзисторная сборка 2П7240БС9 n-канальная переключательная с рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт, с максимальной рабочей частотой более 3 МГц, но не более 30 МГц-
Корпусное исполнение: 4320.8-А.

Подробнее ...

2П7240ВС9

2П7240ВС9
Транзисторная сборка 2П7240ВС9 n-канальная переключательная с рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт, с максимальной рабочей частотой более 3 МГц, но не более 30 МГц-
Корпусное исполнение: 4320.8-А.

Подробнее ...

2П826АС

2П826АС
Транзистор 2П826АС кремниевый полевой n-канальный с изолированным затвором, выполненный по DMOS технологии.
Предназначен для использования в усилителях мощности на частотах до 80 МГц.

Подробнее ...

2П9103ГС

2П9103ГС
Транзисторная сборка 2П9103ГС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по LDMOS технологии.
Предназначен  для работы в аппаратуре радиосвязи с высокими требованиями по линейности и передающих станциях эфирного телевещания.

Подробнее ...

2П9103ДС

2П9103ДС
Транзисторная сборка 2П9103ДС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по LDMOS технологии.
Предназначен  для работы в аппаратуре радиосвязи с высокими требованиями по линейности и передающих станциях эфирного телевещания.

Подробнее ...

2П9110ЕС

2П9110ЕС
Транзисторная сборка 2П9110ЕС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по LDMOS технологии.
Предназначен  для работы в бортовой и наземной радиопередающей авиационной аппаратуре, в системах навигации и радиолокации.

Подробнее ...

2П9111БС

2П9111БС
Транзисторная сборка 2П9111БС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по LDMOS технологии.
Предназначен  для использования в усилителях мощности на частотах до 500 МГц.

Подробнее ...

2П9111ВС

2П9111ВС
Транзисторная сборка 2П9111ВС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по LDMOS технологии.
Предназначен  для использования в усилителях мощности на частотах до 500 МГц.

Подробнее ...

2П9115АС

2П9115АС
Транзисторная сборка 2П9115АС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по LDMOS технологии.
Предназначена для применения в бортовой и наземной радиопередающей авиационной аппаратуре, в системах навигации и радиолокации.

Подробнее ...

2П9120ВС

2П9120ВС
Транзисторная сборка 2П9120ВС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по LDMOS технологии.
Предназначен  для работы в радиопередающей аппаратуре РЛС и других средств радиосвязи.

Подробнее ...

2П980БС

2П980БС
Транзисторная сборка 2П980БС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по LDMOS технологии.
Предназначен  для использования в усилителях мощности на частотах до 1000 МГц.

Подробнее ...

2П981БС