Скидка 50% на щитовые приборы

2Е802А

В наличии:

28 шт.

2Е802А транзистор мощный высоковольтный кремниевый биполярный переключательный предназначен для работы в ключевых устройствах радиоаппаратуры - в схемах управления электроприводом, сетевых источниках вторичного электропитания.

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттера - 600 В.

Максимально допустимый постоянный ток коллектора - 23 А.

Подробнее ...

2Е802А1

В наличии:

60 шт.

2Е802А1 транзистор мощный высоковольтный кремниевый биполярный переключательный предназначен для работы в ключевых устройствах радиоаппаратуры - в схемах управления электроприводом, сетевых источниках вторичного электропитания.

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттера - 600 В.

Максимально допустимый постоянный ток коллектора - 23 А.

Подробнее ...

2Е802Б

В наличии:

55 шт.

2Е802Б транзистор мощный высоковольтный кремниевый биполярный переключательный предназначен для работы в ключевых устройствах радиоаппаратуры - в схемах управления электроприводом, сетевых источниках вторичного электропитания.

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттера - 600 В.

Максимально допустимый постоянный ток коллектора - 45 А.

Подробнее ...

2П, КП транзисторы

В наличии:

120 шт.

2П, КП транзисторы полевые предназначены для усиления мощности электромагнитных колебаний.

Предел мощности - не более 120 мВт.

Подробнее ...

2Т, 2Е транзисторы

В наличии:

120 шт.

2Т, 2Е транзисторы биполярные предназначены для работы в схемах усилителей звуковых и радиочастот, в преобразовательных и импульсных схемах.

Предел мощности - не более 350 мВт.

Подробнее ...

2Т117А

В наличии:

155 шт.

2Т117А транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходный с базой n-типа предназначен для работы в маломощных генераторах.

Максимальная частота генерации - 200 кГц.

Время включения UБ1Б2=10 В, ׀э=50 мА:

- при температуре +25° C - не более 3 мкс;

- при температуре от -60° C до +125° C - не более 5 мкс.

Подробнее ...

2Т117Б

В наличии:

145 шт.

2Т117Б транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходный с базой n-типа предназначен для работы в маломощных генераторах.

Максимальная частота генерации - 200 КГц.

Время включения UБ1Б2=10 В, ׀э=50 мА:

- при температуре +25° C - не более 3 мкс;

- при температуре от -60° C до +125° C - не более 5 мкс.

Подробнее ...

2Т117В

В наличии:

157 шт.

2Т117В транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходный с базой n-типа предназначен для работы в маломощных генераторах.

Максимальная частота генерации - 200 кГц.

Время включения UБ1Б2=10 В, ׀э=50 мА:

- при температуре +25° C - не более 3 мкс;

- при температуре от -60° C до +125° C - не более 5 мкс.

Подробнее ...

2Т117Г

В наличии:

127 шт.

2Т117Г транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходный с базой n-типа предназначен для работы в маломощных генераторах.

Максимальная частота генерации - 200 кГц.

Время включения UБ1Б2=10 В, ׀э=50 мА:

- при температуре +25° C - не более 3 мкс;

- при температуре от -60° C до +125° C - не более 5 мкс.

Подробнее ...

2Т118В-1

В наличии:

71 шт.

2Т118В-1 транзистор биполярный предназначен для работы в электронных устройствах для усиления или генерации электрических колебаний, а также в качестве коммутирующего элемента.

Рассеиваемая мощность - не более 0,3 Вт.

Граничная частота коэффициента передачи тока - не более 300 МГц.

Подробнее ...