Discount up to 50% on the panel devices.

Datasheets and radio parts >> transistors (2T, KT)

2Т транзистор

2Т транзистор специального назначения - радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, позволяющий входным сигналом управлять током в электрической цепи.

Исходный материал - кремний.

Подкласс полупроводника - транзистор.

Класс прибора по мощности - 1(2,3,4,5,6,7,8,9).

Порядковый номер разработки - от 01 до 99.

Параметрическая группа - от А до Я.


More info ...

2Т117А

available: 155 pieces

2Т117А транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходный с базой n-типа предназначен для работы в маломощных генераторах.

Максимальная частота генерации - 200 кГц.

Время включения UБ1Б2=10 В, ׀э=50 мА:

- при температуре +25° C - не более 3 мкс;

- при температуре от -60° C до +125° C - не более 5 мкс.


More info ...

2Т117Б

available: 145 pieces

2Т117Б транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходный с базой n-типа предназначен для работы в маломощных генераторах.

Максимальная частота генерации - 200 КГц.

Время включения UБ1Б2=10 В, ׀э=50 мА:

- при температуре +25° C - не более 3 мкс;

- при температуре от -60° C до +125° C - не более 5 мкс.


More info ...

2Т117В

available: 157 pieces

2Т117В транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходный с базой n-типа предназначен для работы в маломощных генераторах.

Максимальная частота генерации - 200 кГц.

Время включения UБ1Б2=10 В, ׀э=50 мА:

- при температуре +25° C - не более 3 мкс;

- при температуре от -60° C до +125° C - не более 5 мкс.


More info ...

2Т117Г

available: 127 pieces

2Т117Г транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходный с базой n-типа предназначен для работы в маломощных генераторах.

Максимальная частота генерации - 200 кГц.

Время включения UБ1Б2=10 В, ׀э=50 мА:

- при температуре +25° C - не более 3 мкс;

- при температуре от -60° C до +125° C - не более 5 мкс.


More info ...

2Т118В-1

available: 71 pieces

2Т118В-1 транзистор биполярный предназначен для работы в электронных устройствах для усиления или генерации электрических колебаний, а также в качестве коммутирующего элемента.

Рассеиваемая мощность - не более 0,3 Вт.

Граничная частота коэффициента передачи тока - не более 300 МГц.


More info ...

2Т203А

available: 65 pieces

2Т203А транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный маломощный предназначен для работы в усилительных и импульсных схемах.

Постоянное напряжение эмиттер-база - 30 В.

Постоянный ток коллектора - 10 мА.


More info ...

2Т203Б

available: 75 pieces

2Т203Б транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный маломощный предназначен для работы в усилительных и импульсных схемах.

Постоянное напряжение эмиттер-база - 15 В.

Постоянный ток коллектора - 10 мА.


More info ...

2Т203В

available: 60 pieces

2Т203В транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный маломощный предназначен для работы в усилительных и импульсных схемах.

Постоянное напряжение эмиттер-база - 10 В.

Постоянный ток коллектора - 10 мА.


More info ...

2Т203Г

available: 43 pieces

2Т203Г транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный маломощный предназначен для работы в усилительных и импульсных схемах.

Постоянное напряжение эмиттер-база - 30 В.

Постоянный ток коллектора - 10 мА.


More info ...
Pages: 1 2    View all
КТ2Т606А2Т904А
КТ606АКТ606БКТ904А
КТ904Б2Т118В-1
2Т117А2Т117Б2Т117В
2Т117Г2Т203А2Т203Б
2Т203В2Т203Г