Discount up to 50% on the panel devices.

Datasheets and radio parts >> transistors (2T, KT)

2Т транзистор

2Т транзистор специального назначения - радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, позволяющий входным сигналом управлять током в электрической цепи.

Исходный материал - кремний.

Подкласс полупроводника - транзистор.

Класс прибора по мощности - 1(2,3,4,5,6,7,8,9).

Порядковый номер разработки - от 01 до 99.

Параметрическая группа - от А до Я.


More info ...

2Т117А

available: 155 pieces

2Т117А транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходный с базой n-типа предназначен для работы в маломощных генераторах.

Максимальная частота генерации - 200 кГц.

Время включения UБ1Б2=10 В, ׀э=50 мА:

- при температуре +25° C - не более 3 мкс;

- при температуре от -60° C до +125° C - не более 5 мкс.


More info ...

2Т117Б

available: 145 pieces

2Т117Б транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходный с базой n-типа предназначен для работы в маломощных генераторах.

Максимальная частота генерации - 200 КГц.

Время включения UБ1Б2=10 В, ׀э=50 мА:

- при температуре +25° C - не более 3 мкс;

- при температуре от -60° C до +125° C - не более 5 мкс.


More info ...

2Т117В

available: 157 pieces

2Т117В транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходный с базой n-типа предназначен для работы в маломощных генераторах.

Максимальная частота генерации - 200 кГц.

Время включения UБ1Б2=10 В, ׀э=50 мА:

- при температуре +25° C - не более 3 мкс;

- при температуре от -60° C до +125° C - не более 5 мкс.


More info ...

2Т117Г

available: 127 pieces

2Т117Г транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходный с базой n-типа предназначен для работы в маломощных генераторах.

Максимальная частота генерации - 200 кГц.

Время включения UБ1Б2=10 В, ׀э=50 мА:

- при температуре +25° C - не более 3 мкс;

- при температуре от -60° C до +125° C - не более 5 мкс.


More info ...

2Т118В-1

available: 71 pieces

2Т118В-1 транзистор биполярный предназначен для работы в электронных устройствах для усиления или генерации электрических колебаний, а также в качестве коммутирующего элемента.

Рассеиваемая мощность - не более 0,3 Вт.

Граничная частота коэффициента передачи тока - не более 300 МГц.


More info ...

2Т606А

available: 58 pieces
device image.

2Т606А транзистор предназначен для применения в схемах усилителей мощности, в том числе при амплитудной модуляции в умножителях частоты и автогенераторах на частотах выше 100 МГц при напряжении питания 28 В.

Структура - n-p-n.

Функциональный тип - биполярный.

Выходная мощность - не менее 0,8 Вт.


More info ...

2Т904А

available: 79 pieces
device image.

904А транзистор предназначен для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах от 100 МГц до 400 МГц при напряжении питания 28 В.

Структура транзистора - n-p-n.

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом - 5 Вт.


More info ...

КТ транзистор

КТ транзистор общего назначения - радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, позволяющий входным сигналом управлять током в электрической цепи.

Исходный материал - кремний.

Подкласс полупроводника - транзистор.

Класс прибора по мощности - 1(2,3,4,5,6,7,8,9).

Порядковый номер разработки - от 01 до 99.

Параметрическая группа - от А до Я.


More info ...

КТ606А

available: 87 pieces
device image.

КТ606А транзистор предназначен для применения в схемах усилителей мощности, в том числе при амплитудной модуляции в умножителях частоты и автогенераторах на частотах выше 100 МГц при напряжении питания 28 В.

Структура - n-p-n.

Функциональный тип - биполярный.

Выходная мощность - не менее 0,8 Вт.


More info ...
Pages: 1 2    View all
КТ2Т606А2Т904А
КТ606АКТ606БКТ904А
КТ904Б2Т118В-1
2Т117А2Т117Б2Т117В
2Т117Г