Знижка до 50% на щитові прилади.

Радіокомпоненти і радіодеталі >> транзистори (2Т, КТ)

2Е802А

в наявності: 28 штук

2Е802А транзистор мощный высоковольтный кремниевый биполярный переключательный предназначен для работы в ключевых устройствах радиоаппаратуры - в схемах управления электроприводом, сетевых источниках вторичного электропитания.

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттера - 600 В.

Максимально допустимый постоянный ток коллектора - 23 А.


Детальніше ...

2Е802А1

в наявності: 60 штук

2Е802А1 транзистор мощный высоковольтный кремниевый биполярный переключательный предназначен для работы в ключевых устройствах радиоаппаратуры - в схемах управления электроприводом, сетевых источниках вторичного электропитания.

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттера - 600 В.

Максимально допустимый постоянный ток коллектора - 23 А.


Детальніше ...

2Е802Б

в наявності: 55 штук

2Е802Б транзистор мощный высоковольтный кремниевый биполярный переключательный предназначен для работы в ключевых устройствах радиоаппаратуры - в схемах управления электроприводом, сетевых источниках вторичного электропитания.

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттера - 600 В.

Максимально допустимый постоянный ток коллектора - 45 А.


Детальніше ...

2П, КП транзисторы

в наявності: 120 штук

2П, КП транзисторы полевые предназначены для усиления мощности электромагнитных колебаний.

Предел мощности - не более 120 мВт.


Детальніше ...

2Т, 2Е транзисторы

в наявності: 120 штук

2Т, 2Е транзисторы биполярные предназначены для работы в схемах усилителей звуковых и радиочастот, в преобразовательных и импульсных схемах.

Предел мощности - не более 350 мВт.


Детальніше ...

2Т117А

в наявності: 155 штук

2Т117А транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходный с базой n-типа предназначен для работы в маломощных генераторах.

Максимальная частота генерации - 200 кГц.

Время включения UБ1Б2=10 В, ׀э=50 мА:

- при температуре +25° C - не более 3 мкс;

- при температуре от -60° C до +125° C - не более 5 мкс.


Детальніше ...

2Т117Б

в наявності: 145 штук

2Т117Б транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходный с базой n-типа предназначен для работы в маломощных генераторах.

Максимальная частота генерации - 200 КГц.

Время включения UБ1Б2=10 В, ׀э=50 мА:

- при температуре +25° C - не более 3 мкс;

- при температуре от -60° C до +125° C - не более 5 мкс.


Детальніше ...

2Т117В

в наявності: 157 штук

2Т117В транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходный с базой n-типа предназначен для работы в маломощных генераторах.

Максимальная частота генерации - 200 кГц.

Время включения UБ1Б2=10 В, ׀э=50 мА:

- при температуре +25° C - не более 3 мкс;

- при температуре от -60° C до +125° C - не более 5 мкс.


Детальніше ...

2Т117Г

в наявності: 127 штук

2Т117Г транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходный с базой n-типа предназначен для работы в маломощных генераторах.

Максимальная частота генерации - 200 кГц.

Время включения UБ1Б2=10 В, ׀э=50 мА:

- при температуре +25° C - не более 3 мкс;

- при температуре от -60° C до +125° C - не более 5 мкс.


Детальніше ...

2Т118В-1

в наявності: 71 штука

2Т118В-1 транзистор биполярный предназначен для работы в электронных устройствах для усиления или генерации электрических колебаний, а также в качестве коммутирующего элемента.

Рассеиваемая мощность - не более 0,3 Вт.

Граничная частота коэффициента передачи тока - не более 300 МГц.


Детальніше ...
Сторінки: 1 2 3    Переглянути всі
КТ2Т606А2Т904А
КТ606АКТ606БКТ904А
КТ904Б2Т, 2Е2Т118В-1
2Т117А2Т117Б2Т117В
2Т117Г2Т203А2Т203Б
2Т203В2Т203Г2Т203Д
2Е802А2Е802А12Е802Б
2П, КП2Т504АКЕ802
2Т504Б2Т504В3П, АП