Знижка до 50% на щитові прилади.

Радіокомпоненти і радіодеталі >> транзистори (2Т, КТ)

2Е802А

в наявності: 28 штук

2Е802А транзистор мощный высоковольтный кремниевый биполярный переключательный предназначен для работы в ключевых устройствах радиоаппаратуры - в схемах управления электроприводом, сетевых источниках вторичного электропитания.

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттера - 600 В.

Максимально допустимый постоянный ток коллектора - 23 А.


Детальніше ...

2Е802А1

в наявності: 60 штук

2Е802А1 транзистор мощный высоковольтный кремниевый биполярный переключательный предназначен для работы в ключевых устройствах радиоаппаратуры - в схемах управления электроприводом, сетевых источниках вторичного электропитания.

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттера - 600 В.

Максимально допустимый постоянный ток коллектора - 23 А.


Детальніше ...

2Е802Б

в наявності: 55 штук

2Е802Б транзистор мощный высоковольтный кремниевый биполярный переключательный предназначен для работы в ключевых устройствах радиоаппаратуры - в схемах управления электроприводом, сетевых источниках вторичного электропитания.

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттера - 600 В.

Максимально допустимый постоянный ток коллектора - 45 А.


Детальніше ...

2П транзисторы

в наявності: 200 штук

2П транзисторы полевые предназначены для работы во вторичных источниках электропитания, импульсных модуляторах в качестве силовых транзисторных ключей и в другом электрооборудовании изделий специального назначения.

Максимально допустимое напряжение затвор-исток - 20 В.

Пороговое напряжение затвор-исток - от 2 В до 4 В.


Детальніше ...

2Т транзистор

в наявності: 150 штук

2Т транзистор специального назначения - радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, позволяющий входным сигналом управлять током в электрической цепи.

Класс прибора по мощности - 1 (2,3,4,5,6,7,8,9).

Порядковый номер разработки - от 01 до 99.

Параметрическая группа - от А до Я.


Детальніше ...

2Т117А

в наявності: 155 штук

2Т117А транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходный с базой n-типа предназначен для работы в маломощных генераторах.

Максимальная частота генерации - 200 кГц.

Время включения UБ1Б2=10 В, ׀э=50 мА:

- при температуре +25° C - не более 3 мкс;

- при температуре от -60° C до +125° C - не более 5 мкс.


Детальніше ...

2Т117Б

в наявності: 145 штук

2Т117Б транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходный с базой n-типа предназначен для работы в маломощных генераторах.

Максимальная частота генерации - 200 КГц.

Время включения UБ1Б2=10 В, ׀э=50 мА:

- при температуре +25° C - не более 3 мкс;

- при температуре от -60° C до +125° C - не более 5 мкс.


Детальніше ...

2Т117В

в наявності: 157 штук

2Т117В транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходный с базой n-типа предназначен для работы в маломощных генераторах.

Максимальная частота генерации - 200 кГц.

Время включения UБ1Б2=10 В, ׀э=50 мА:

- при температуре +25° C - не более 3 мкс;

- при температуре от -60° C до +125° C - не более 5 мкс.


Детальніше ...

2Т117Г

в наявності: 127 штук

2Т117Г транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходный с базой n-типа предназначен для работы в маломощных генераторах.

Максимальная частота генерации - 200 кГц.

Время включения UБ1Б2=10 В, ׀э=50 мА:

- при температуре +25° C - не более 3 мкс;

- при температуре от -60° C до +125° C - не более 5 мкс.


Детальніше ...

2Т118В-1

в наявності: 71 штука

2Т118В-1 транзистор биполярный предназначен для работы в электронных устройствах для усиления или генерации электрических колебаний, а также в качестве коммутирующего элемента.

Рассеиваемая мощность - не более 0,3 Вт.

Граничная частота коэффициента передачи тока - не более 300 МГц.


Детальніше ...
Сторінки: 1 2 3    Переглянути всі
КТ транзистор2Т606А2Т904А
КТ606АКТ606БКТ904А
КТ904Б2Т транзистор2Т118В-1
2Т117А2Т117Б2Т117В
2Т117Г2Т203А2Т203Б
2Т203В2Т203Г2Т203Д
2Е802А2Е802А12Е802Б
2П транзисторы2Т504АКЕ802
2Т504Б2Т504В