Скидка 50% на щитовые приборы.

Радиокомпоненты и радиодетали >> транзисторы (2Т, КТ)

2Т транзистор

2Т830 фотография транзистора.

2Т транзистор специального назначения - радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, позволяющий входным сигналом управлять током в электрической цепи.

Исходный материал - кремний.

Подкласс полупроводника - транзистор.

Класс прибора по мощности - 1(2,3,4,5,6,7,8,9).

Порядковый номер разработки - от 01 до 99.

Параметрическая группа - от А до Я.


Подробнее ...

2Т117А

в наличии: 155 штук
2Т117А фотография транзистора.

2Т117А транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходный с базой n-типа предназначен для работы в маломощных генераторах.

Максимальная частота генерации - 200 кГц.

Время включения UБ1Б2=10 В, ׀э=50 мА:

- при температуре +25° C - не более 3 мкс;

- при температуре от -60° C до +125° C - не более 5 мкс.


Подробнее ...

2Т117Б

в наличии: 145 штук
2Т117Б фотография транзистора.

2Т117Б транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходный с базой n-типа предназначен для работы в маломощных генераторах.

Максимальная частота генерации - 200 КГц.

Время включения UБ1Б2=10 В, ׀э=50 мА:

- при температуре +25° C - не более 3 мкс;

- при температуре от -60° C до +125° C - не более 5 мкс.


Подробнее ...

2Т117В

в наличии: 157 штук
2Т117В чертеж транзистора.

2Т117В транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходный с базой n-типа предназначен для работы в маломощных генераторах.

Максимальная частота генерации - 200 кГц.

Время включения UБ1Б2=10 В, ׀э=50 мА:

- при температуре +25° C - не более 3 мкс;

- при температуре от -60° C до +125° C - не более 5 мкс.


Подробнее ...

2Т117Г

в наличии: 127 штук
2Т117Г фотография транзистора.

2Т117Г транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходный с базой n-типа предназначен для работы в маломощных генераторах.

Максимальная частота генерации - 200 кГц.

Время включения UБ1Б2=10 В, ׀э=50 мА:

- при температуре +25° C - не более 3 мкс;

- при температуре от -60° C до +125° C - не более 5 мкс.


Подробнее ...

2Т118В-1

в наличии: 71 штука

2Т118В-1 транзистор биполярный предназначен для работы в электронных устройствах для усиления или генерации электрических колебаний, а также в качестве коммутирующего элемента.

Рассеиваемая мощность - не более 0,3 Вт.

Граничная частота коэффициента передачи тока - не более 300 МГц.


Подробнее ...

2Т203А

в наличии: 65 штук
2Т203А фотография транзистора.

2Т203А транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный маломощный предназначен для работы в усилительных и импульсных схемах.

Постоянное напряжение эмиттер-база - 30 В.

Постоянный ток коллектора - 10 мА.


Подробнее ...

2Т203Б

в наличии: 75 штук
2Т203Б фотография транзистора.

2Т203Б транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный маломощный предназначен для работы в усилительных и импульсных схемах.

Постоянное напряжение эмиттер-база - 15 В.

Постоянный ток коллектора - 10 мА.


Подробнее ...

2Т203В

в наличии: 60 штук
2Т203В фотография транзистора.

2Т203В транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный маломощный предназначен для работы в усилительных и импульсных схемах.

Постоянное напряжение эмиттер-база - 10 В.

Постоянный ток коллектора - 10 мА.


Подробнее ...

2Т203Г

в наличии: 43 штуки
2Т203Г фотография транзистора.

2Т203Г транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный маломощный предназначен для работы в усилительных и импульсных схемах.

Постоянное напряжение эмиттер-база - 30 В.

Постоянный ток коллектора - 10 мА.


Подробнее ...
Страницы: 1 2    Смотреть все
2Т117А2Т117Б
2Т117В2Т117Г2Т118В-1
2Т203А2Т203Б2Т203В
2Т203Г2Т203Д2Т606А
2Т904АКТКТ606А
КТ606БКТ904АКТ904Б