Datasheets and radio parts >> lasers

ЛД-101 диод

available: 87 pieces

ЛД-101 диод лазерный импульсного режима работы предназначен для использования в качестве источника лазерного излучения ИК-диапазона.

Длина волны излучения - не более 950 нм.

Средняя мощность импульса лазерного излучения - не менее 6 Вт.


More info ...

ЛД-120 диод

available: 68 pieces

ЛД-120 диод лазерный импульсного режима работы предназначен для использования в качестве источника лазерного излучения ИК-диапазона.

Длина волны излучения - не более 900 нм.

Средняя мощность импульса лазерного излучения - не менее 10 Вт.


More info ...

ЛПИ-101

available: 59 pieces
device image.

ЛПИ-101 лазер полупроводниковый инжекционный многомодовый импульсного режима работы предназначен для использования в качестве источника лазерного излучения ИК-диапазона.

Длина волны излучения - не более 950 нм.

Средняя мощность импульса лазерного излучения - не менее 2 Вт.


More info ...

ЛПИ-111

available: 66 pieces
device image.

ЛПИ-111 лазер полупроводниковый инжекционный импульсного режима предназначен для использования в качестве мощного источника ИК лазерного излучения.

Максимальная мощность импульса лазерного излучения - не менее 6000 Вт.

Длина волны лазерного излучения - от 850 нм до 930 нм.


More info ...

ЛПИ-112

available: 87 pieces
device image.

ЛПИ-112 лазер полупроводниковый инжекционный импульсного режима предназначен для использования в качестве мощного источника ИК лазерного излучения.

Максимальная мощность импульса лазерного излучения - не менее 200 Вт.

Длина волны лазерного излучения - от 850 нм до 930 нм.


More info ...

ЛПИ-113

available: 63 pieces
device image.

ЛПИ-113 лазер полупроводниковый инжекционный импульсного режима предназначен для использования в качестве мощного источника ИК лазерного излучения.

Максимальная мощность импульса лазерного излучения - не менее 500 Вт.

Длина волны лазерного излучения - от 850 нм до 930 нм.


More info ...

ЛПИ-120

available: 81 pieces
device image.

ЛПИ-120 лазер полупроводниковый инжекционный многомодовый импульсного режима работы предназначен для использования в качестве источника оптического излучения.

Длина волны излучения - не более 900 нм.

Средняя мощность импульса лазерного излучения - не менее 15 Вт.


More info ...

ЛПИ-120-2

available: 77 pieces
device image.

ЛПИ-120-2 лазер полупроводниковый инжекционный импульсного режима работы предназначен для использования в качестве источника лазерного излучения ИК-диапазона.

Длина волны излучения - не более 950 нм.

Средняя мощность импульса лазерного излучения - не менее 4 Вт.


More info ...

ЛПИ-122М

available: 91 pieces

ЛПИ-122М лазер полупроводниковый инжекционный многомодовый импульсного режима работы предназначен для использования в качестве источника лазерного излучения ИК-диапазона.

Длина волны излучения - не более 930 нм.

Средняя мощность импульса лазерного излучения - не менее 17 Вт.


More info ...
ЛД-101ЛПИ-120-2ЛД-120
ЛПИ-101ЛПИ-122МЛПИ-113
ЛПИ-120ЛПИ-111ЛПИ-112


Яндекс цитирования