Радиокомпоненты и радиодетали >> лазеры (ЛД, ЛПИ)
|
|||||||||||||||||||||||||
|
Полупроводниковый инжекционный лазер ЛПИ-111 Также это изделие может называться: ЛПИ 111, ЛПИ111, lpi-111, lpi 111, lpi111.
ЛПИ-111 лазер полупроводниковый инжекционный импульсного режима предназначен для использования в качестве мощного источника ИК лазерного излучения.
Лазеры ЛПИ-111 используются в устройствах оптической локации, спецтехнике, медицине.
Технические характеристики ЛПИ-111:
Максимальная мощность импульса лазерного излучения - не менее 6000 Вт. Длина волны лазерного излучения - от 850 нм до 930 нм.
Длительность импульсов лазерного излучения (по уровню 0,5) - не менее 1 мкс. Частота повторения импульсов лазерного излучения для ЛПИ-111 - 100 Гц. Напряжение питания: - в цепи управления - 24 В; - лазера - не более 500 В.
Лазеры выполнены: - с применением матриц арсенид-галиевых излучающих лазерных диодов; - в цилиндрических металлических корпусах с выводом излучения через стеклянное окно. Конструктивное исполнение - со встроенными гибридными микросборками генераторов токов накачки и без них.
Варианты исполнения лазеров ЛПИ-111 в зависимости от вида приёмки: - отдел технического контроля - ЛПИ-111 ОТК; - особо стойкие (особо стабильные) - ОСЛПИ-111, ЛПИ-111 ОС; - приемка заказчика - ЛПИ-111 ПЗ; - военная приемка - ЛПИ-111 ВП. Фотографии на: ЛПИ-111
|
|||||||||||||||||||||||||
