modules, assemblies, blocks, diode poles (2D, D, KD, MDT and others)

0С02.00 модули управления тормозом широко применяются в разных электро-, радио- и контрольно-измерительных приборах.

15ГД6А столбы широко применяются в разных электро-, радио- и контрольно-измерительных приборах.

15ГД8Я-К столбы широко применяются в разных электро-, радио- и контрольно-измерительных приборах.

15ГМ8А-К столбы широко применяются в разных электро-, радио- и контрольно-измерительных приборах.

1УС07/11-2 модули широко применяются в разных электро-, радио- и контрольно-измерительных приборах.

2Ц105В столбы широко применяются в разных электро-, радио- и контрольно-измерительных приборах.

2Ц108Б столбы широко применяются в разных электро-, радио- и контрольно-измерительных приборах.

- масса - 11 г.

2Ц112А столбы широко применяются в разных электро-, радио- и контрольно-измерительных приборах.

2Ц203Б столбы широко применяются в разных электро-, радио- и контрольно-измерительных приборах.

3ГЕ220АФ столбы широко применяются в разных электро-, радио- и контрольно-измерительных приборах.

40ЕД8Г столбы широко применяются в разных электро-, радио- и контрольно-измерительных приборах.

40ЕД8Г-К столбы широко применяются в разных электро-, радио- и контрольно-измерительных приборах.

5ГЕ200АФ столбы широко применяются в разных электро-, радио- и контрольно-измерительных приборах.

5ГЕ200Ф столбы широко применяются в разных электро-, радио- и контрольно-измерительных приборах.

5ГЕ24АФ столбы широко применяются в разных электро-, радио- и контрольно-измерительных приборах.

7ГЕ12Ф столбы широко применяются в разных электро-, радио- и контрольно-измерительных приборах.

7ГЕ350АФ-С столбы широко применяются в разных электро-, радио- и контрольно-измерительных приборах.

7С06.1200 оптоэлектронные модули широко применяются в разных электро-, радио- и контрольно-измерительных приборах.

7С07.1200 оптоэлектронные модули широко применяются в разных электро-, радио- и контрольно-измерительных приборах.

- масса - 11 г.

8С1.2А600 оптоэлектронные модули широко применяются в разных электро-, радио- и контрольно-измерительных приборах.

8С2.1А200 оптоэлектронные модули широко применяются в разных электро-, радио- и контрольно-измерительных приборах.

8С5.5А60 оптоэлектронные модули широко применяются в разных электро-, радио- и контрольно-измерительных приборах.

Д1010 столбы широко применяются в разных электро-, радио- и контрольно-измерительных приборах.

К1-4АЛ 18000кГц резонаторы широко применяются в разных электро-, радио- и контрольно-измерительных приборах.

Резонатор кварцевый вакуумный

- корпус - КА (стеклянный);

- масса - 1 г.

К1-4АЛ 30МГц резонаторы широко применяются в разных электро-, радио- и контрольно-измерительных приборах.

Резонатор кварцевый вакуумный

- технические условия - РЦ3.382.255 ТУ;

- корпус - КА (стеклянный);

- масса - 1 г.

К1-4ВП 12797кГц резонаторы широко применяются в разных электро-, радио- и контрольно-измерительных приборах.

Резонатор кварцевый вакуумный

- технические условия - РЦ3.382.255 ТУ;

- корпус - КА (стеклянный);

- масса - 1 г.

К1-4ВП 5000кГц резонаторы широко применяются в разных электро-, радио- и контрольно-измерительных приборах.

Резонатор кварцевый вакуумный

- технические условия - РЦ3.382.255 ТУ;

- корпус - КА (стеклянный);

- масса - 1 г.

К1-4ДС 10000кГц резонаторы широко применяются в разных электро-, радио- и контрольно-измерительных приборах.

Резонатор кварцевый вакуумный

- корпус - КА (стеклянный);

- масса - 1 г.

К1-4ДС 11111кГц резонаторы широко применяются в разных электро-, радио- и контрольно-измерительных приборах.

Резонатор кварцевый вакуумный

- технические условия - РЦ3.382.255 ТУ;

- корпус - КА (стеклянный);

- масса - 1 г.

К1-4ДС 12000кГц резонаторы широко применяются в разных электро-, радио- и контрольно-измерительных приборах.

Резонатор кварцевый вакуумный

- технические условия - РЦ3.382.255 ТУ;

- корпус - КА (стеклянный);

- масса - 1 г.

К1-4ДС 12200кГц резонаторы широко применяются в разных электро-, радио- и контрольно-измерительных приборах.

Резонатор кварцевый вакуумный

- технические условия - РЦ3.382.255 ТУ;

- корпус - КА (стеклянный);

- масса - 1 г.

К1-4ДС 12288кГц резонаторы широко применяются в разных электро-, радио- и контрольно-измерительных приборах.

Резонатор кварцевый вакуумный

- корпус - КА (стеклянный);

- масса - 1 г.

К1-4ДС 12600кГц резонаторы широко применяются в разных электро-, радио- и контрольно-измерительных приборах.

Резонатор кварцевый вакуумный

- корпус - КА (стеклянный);

- масса - 1 г.

К1-4ДС 13500кГц резонаторы широко применяются в разных электро-, радио- и контрольно-измерительных приборах.

Резонатор кварцевый вакуумный

- технические условия - РЦ3.382.255 ТУ;

- корпус - КА (стеклянный);

- масса - 1 г.

К1-4ДС 14000кГц резонаторы широко применяются в разных электро-, радио- и контрольно-измерительных приборах.

Резонатор кварцевый вакуумный

- корпус - КА (стеклянный);

- масса - 1 г.

К1-4ДС 15000кГц резонаторы широко применяются в разных электро-, радио- и контрольно-измерительных приборах.

Резонатор кварцевый вакуумный

- корпус - КА (стеклянный);

- масса - 1 г.

К1-4ДС 20000кГц резонаторы широко применяются в разных электро-, радио- и контрольно-измерительных приборах.

Резонатор кварцевый вакуумный

- корпус - КА (стеклянный);

- масса - 1 г.

К1-4ДС 24МГц резонаторы широко применяются в разных электро-, радио- и контрольно-измерительных приборах.

Резонатор кварцевый вакуумный

- технические условия - РЦ3.382.255 ТУ;

- корпус - КА (стеклянный);

- масса - 1 г.

К1-4ДС 30МГц резонаторы широко применяются в разных электро-, радио- и контрольно-измерительных приборах.

Резонатор кварцевый вакуумный

- технические условия - РЦ3.382.255 ТУ;

- корпус - КА (стеклянный);

- масса - 1 г.

К1-4ДС 6000кГц резонаторы широко применяются в разных электро-, радио- и контрольно-измерительных приборах.

Резонатор кварцевый вакуумный

- технические условия - РЦ3.382.255 ТУ;

- корпус - КА (стеклянный);

- масса - 1 г.

К1-4ДС 8000кГц резонаторы широко применяются в разных электро-, радио- и контрольно-измерительных приборах.

Резонатор кварцевый вакуумный

- корпус - КА (стеклянный);

- масса - 1 г.

К1-4ДС 8014кГц резонаторы широко применяются в разных электро-, радио- и контрольно-измерительных приборах.

Резонатор кварцевый вакуумный

- корпус - КА (стеклянный);

- масса - 1 г.

К1-4ДС 8192кГц резонаторы широко применяются в разных электро-, радио- и контрольно-измерительных приборах.

Резонатор кварцевый вакуумный

- корпус - КА (стеклянный);

- масса - 1 г.

К1-5ДС 32МГц резонаторы широко применяются в разных электро-, радио- и контрольно-измерительных приборах.

Резонатор кварцевый вакуумный

- технические условия - РЦ3.382.255 ТУ;

- корпус - КА (стеклянный);

- масса - 1 г.

К1-5ДС 40МГц резонаторы широко применяются в разных электро-, радио- и контрольно-измерительных приборах.

Резонатор кварцевый вакуумный

- корпус - КА (стеклянный);

- масса - 1 г.

К1-5ДС 48.468МГц резонаторы широко применяются в разных электро-, радио- и контрольно-измерительных приборах.

Резонатор кварцевый вакуумный

- технические условия - РЦ3.382.255 ТУ;

- корпус - КА (стеклянный);

- масса - 1 г.

К1-5ДС 50МГц резонаторы широко применяются в разных электро-, радио- и контрольно-измерительных приборах.

Резонатор кварцевый вакуумный

- технические условия - РЦ3.382.255 ТУ;

- корпус - КА (стеклянный);

- масса - 1 г.

К1-5ДС 53МГц резонаторы широко применяются в разных электро-, радио- и контрольно-измерительных приборах.

Резонатор кварцевый вакуумный

- корпус - КА (стеклянный);

- масса - 1 г.

К1-5ДС 58МГц резонаторы широко применяются в разных электро-, радио- и контрольно-измерительных приборах.

Резонатор кварцевый вакуумный

- корпус - КА (стеклянный);

- масса - 1 г.

К1-5ДС 60МГц резонаторы широко применяются в разных электро-, радио- и контрольно-измерительных приборах.

Резонатор кварцевый вакуумный

- корпус - КА (стеклянный);

- масса - 1 г.

К1-5ДС 61.425МГц резонаторы широко применяются в разных электро-, радио- и контрольно-измерительных приборах.

Резонатор кварцевый вакуумный

- корпус - КА (стеклянный);

- масса - 1 г.

К1-5ДС 62.5МГц резонаторы широко применяются в разных электро-, радио- и контрольно-измерительных приборах.

Резонатор кварцевый вакуумный

- технические условия - РЦ3.382.255 ТУ;

- корпус - КА (стеклянный);

- масса - 1 г.

К1-5ДС 82МГц резонаторы широко применяются в разных электро-, радио- и контрольно-измерительных приборах.

Резонатор кварцевый вакуумный

- технические условия - РЦ3.382.255 ТУ;

- корпус - КА (стеклянный);

- масса - 1 г.

КД212В
Диоды КД212В кремниевые, диффузионные.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 100 кГц.

КД212Г
Диоды КД212Г кремниевые, диффузионные.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 100 кГц.

КД213А
Диоды КД213А кремниевые, выпрямительные, средней мощности, диффузионные.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 100 кГц.

КД213Б
Диоды КД213Б кремниевые, диффузионные.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 100 кГц.

КД213В
Диоды КД213В кремниевые, диффузионные.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 100 кГц.

КД213Г
Диоды КД213Г кремниевые, диффузионные.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 100 кГц.

Диоды КД221А кремниевые, диффузионные.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 50 кГц (КД221А, КД221Б, КД221В) и до 20 кГц (КД221Г).
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.

Диоды КД221Б кремниевые, диффузионные.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 50 кГц (КД221А, КД221Б, КД221В) и до 20 кГц (КД221Г).
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.

Диоды КД221В кремниевые, диффузионные.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 50 кГц (КД221А, КД221Б, КД221В) и до 20 кГц (КД221Г).
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.

Диоды КД226А кремниевые, диффузионные.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 35 кГц.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.

Диоды КД226Б кремниевые, диффузионные.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 35 кГц.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.

Диоды КД226В кремниевые, диффузионные.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 35 кГц.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.

Диоды КД226Г кремниевые, диффузионные.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 35 кГц.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.

Диоды КД226Д кремниевые, диффузионные.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 35 кГц.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.

Диоды КД226Е кремниевые, диффузионные.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 35 кГц.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.

КД227ГС1
Кремниевая выпрямительная диодная сборка.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 5 кГц.

КД227ЕС1
Кремниевая выпрямительная диодная сборка.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 5 кГц.

КД227ЖС1
Кремниевая выпрямительная диодная сборка.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 5 кГц.

КД237А
Диоды кремниевые, эпитаксиально-планарные.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 300 кГц во вторичных источниках электропитания аппаратуры, защищенной от воздействия влаги.

КД237Б
Диоды кремниевые, эпитаксиально-планарные.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 300 кГц во вторичных источниках электропитания аппаратуры, защищенной от воздействия влаги.

КД238АС
Диодные сборки, состоящие каждая из двух кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов, с барьером Шотки и общим катодом.
Предназначены для применения в низковольтных источниках вторичного электропитания на частотах 10-200 кГц.

КД238БС
Диодные сборки, состоящие каждая из двух кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов, с барьером Шотки и общим катодом.
Предназначены для применения в низковольтных источниках вторичного электропитания на частотах 10-200 кГц.

КД238ВС
Диодные сборки, состоящие каждая из двух кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов, с барьером Шотки и общим катодом.
Предназначены для применения в низковольтных источниках вторичного электропитания на частотах 10-200 кГц.

КД243А
Кремниевый выпрямительный диод.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 70 кГц.

КД243Б
Кремниевый выпрямительный диод.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 70 кГц.

КД243В
Кремниевый выпрямительный диод.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 70 кГц.

КД243Г
Кремниевый выпрямительный диод.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 70 кГц.

КД243Д
Кремниевый выпрямительный диод.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 70 кГц.

КД243Е
Кремниевый выпрямительный диод.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 70 кГц.

КД243Ж
Кремниевый выпрямительный диод.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 70 кГц.

КД244А
Диод кремниевый выпрямительный.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 200 кГц.

КД244Б
Диод кремниевый выпрямительный.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 200 кГц.

КД244В
Диод кремниевый выпрямительный.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 200 кГц.

КД244Г
Диод кремниевый выпрямительный.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 200 кГц.

КД247А
Кремниевый выпрямительный быстродействующий диод.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 150 кГц.

КД247Б
Кремниевый выпрямительный быстродействующий диод.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 150 кГц.

КД247В
Кремниевый выпрямительный быстродействующий диод.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 150 кГц.

КД247Г
Кремниевый выпрямительный быстродействующий диод.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 150 кГц.

КД247Д
Кремниевый выпрямительный быстродействующий диод.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 150 кГц.

КД247Е
Кремниевый выпрямительный быстродействующий диод.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 150 кГц.

КД248Ж
Диоды КД248Ж кремниевые, выпрямительные.
Предназначены для преобразования переменного напряжения.

КД257А
Выпрямительные диоды КД257А с повышенным прямым током и теплостойкостью.
Предназначены для преобразования переменного напряжения.

КД257Б
Выпрямительные диоды КД257Б с повышенным прямым током и теплостойкостью.
Предназначены для преобразования переменного напряжения.

КД257В
Выпрямительные диоды КД257В с повышенным прямым током и теплостойкостью.
Предназначены для преобразования переменного напряжения.

КД257Г
Выпрямительные диоды КД257Г с повышенным прямым током и теплостойкостью.
Предназначены для преобразования переменного напряжения.

КД257Д
Выпрямительные диоды КД257Д с повышенным прямым током и теплостойкостью.
Предназначены для преобразования переменного напряжения.

КД258А
Диод кремниевый выпрямительный.
Предназначены для преобразования переменного напряжения.

КД258Б
Диод кремниевый выпрямительный.
Предназначены для преобразования переменного напряжения.

КД258В
Диод кремниевый выпрямительный.
Предназначены для преобразования переменного напряжения.

КД258Г
Диод кремниевый выпрямительный.
Предназначены для преобразования переменного напряжения.

КД258Д
Диод кремниевый выпрямительный.
Предназначены для преобразования переменного напряжения.

КД268АС
Диод КД268АС кремниевый, эпитаксиальный, с барьером Шоттки.
Предназначены для применения в импульсных источниках питания, конверторах, устройствах заряда батарей и др.

КД268БС
Диод КД268БС кремниевый, эпитаксиальный, с барьером Шоттки.
Предназначены для применения в импульсных источниках питания, конверторах, устройствах заряда батарей и др.

КД269А
Диод КД269А кремниевый, эпитаксиальный, с барьером Шоттки.
Предназначены для применения в импульсных источниках питания, конверторах, устройствах заряда батарей и др.

КД269АС
Диодная сборка КД269АС кремниевая, эпитаксиальная, с барьером Шоттки.
Предназначена для применения в мощных выпрямителях на высоких частотах переключения, в импульсных источниках питания, преобразователях напряжения.

КД269Б
Диод КД269Б кремниевый, эпитаксиальный, с барьером Шоттки.
Предназначены для применения в импульсных источниках питания, конверторах, устройствах заряда батарей и др.

КД269ВС
Диодная сборка КД269ВС кремниевая, эпитаксиальная, с барьером Шоттки.
Предназначена для применения в мощных выпрямителях на высоких частотах переключения, в импульсных источниках питания, преобразователях напряжения.

КД270АС
Диод КД270АС кремниевый, эпитаксиальный, с барьером Шоттки.
Предназначены для применения в мощных выпрямителях на высоких частотах переключения, в импульсных источниках питания, преобразователях напряжения.

КД270ЕС
Диод КД270ЕС кремниевый, эпитаксиальный, с барьером Шоттки.
Предназначены для применения в мощных выпрямителях на высоких частотах переключения, в импульсных источниках питания, преобразователях напряжения.

КД271Г
Диод КД271Г кремниевый, эпитаксиальный, с барьером Шоттки.
Предназначены для применения в мощных выпрямителях на высоких частотах переключения, в импульсных источниках питания, преобразователях напряжения.

КД271ГС
Диодная сборка КД271ГС кремниевая, эпитаксиальная, с барьером Шоттки.
Предназначена для применения в мощных выпрямителях на высоких частотах переключения, в импульсных источниках питания, преобразователях напряжения.

КД271ЕС
Диодная сборка КД271ЕС кремниевая, эпитаксиальная, с барьером Шоттки.
Предназначена для применения в мощных выпрямителях на высоких частотах переключения, в импульсных источниках питания, преобразователях напряжения.

КД272ВС
Диодные сборки КД272ВС кремниевые, эпитаксиальные, с барьером Шоттки.
Предназначены для применения в мощных выпрямителях на высоких частотах переключения, в импульсных источниках питания, преобразователях напряжения.

КД272ГС
Диодные сборки КД272ГС кремниевые, эпитаксиальные, с барьером Шоттки.
Предназначены для применения в мощных выпрямителях на высоких частотах переключения, в импульсных источниках питания, преобразователях напряжения.

КД272ЕС
Диодные сборки КД272ЕС кремниевые, эпитаксиальные, с барьером Шоттки.
Предназначены для применения в мощных выпрямителях на высоких частотах переключения, в импульсных источниках питания, преобразователях напряжения.

КД273АС
Диод КД273АС кремниевый, эпитаксиальный, с барьером Шоттки.
Предназначены для применения в мощных выпрямителях на высоких частотах переключения, в импульсных источниках питания, преобразователях напряжения.

КД273ВС
Диод КД273ВС кремниевый, эпитаксиальный, с барьером Шоттки.
Предназначены для применения в мощных выпрямителях на высоких частотах переключения, в импульсных источниках питания, преобразователях напряжения.

КД273ДС
Диод КД273ДС кремниевый, эпитаксиальный, с барьером Шоттки.
Предназначены для применения в мощных выпрямителях на высоких частотах переключения, в импульсных источниках питания, преобразователях напряжения.

КД273ЕС
Диод КД273ЕС кремниевый, эпитаксиальный, с барьером Шоттки.
Предназначены для применения в мощных выпрямителях на высоких частотах переключения, в импульсных источниках питания, преобразователях напряжения.

Диод КД280В кремниевый, выпрямительный.
Предназначен для преобразования переменного напряжения частотой до 1 кГц.
Выпускается в корпусе КД-7Е.

Диод КД280Ж кремниевый, выпрямительный.
Предназначен для преобразования переменного напряжения частотой до 1 кГц.
Выпускается в корпусе КД-7Е.

КД283А
Диод КД283А кремниевый, выпрямительный общего назначения.
Предназначен для преобразования переменного напряжения частотой до 1 кГц.

КД2972В-2
Мощный кремниевый выпрямительно-ограничительный диод (диод  Зенера).
Диод КД2972В2 предназначен для защиты от кондуктивных помех по цепям питания  бортовой сети автомобилей, выпрямления тока и ограничения напряжения в автомобильных генераторах и других узлах  и блоках аппаратуры широкого применения.

КД2989Б
Диод КД2989Б выпрямительный с малым временем восстановления.
Предназначен для преобразования переменного напряжения.

Диод КД2991А кремниевый, эпитаксиальный, с барьером Шоттки.
Предназначен для преобразования переменного напряжения на частотах от 10 до 200 кГц.
Выпускается в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.

Диод КД2994А кремниевый, эпитаксиально-планарный.
Предназначен для преобразования переменного напряжения частотой до 200 кГц во вторичных источниках питания и схемах телефонии.
Выпускается в металлопластмассовом корпусе с жесткими выводами.

Диод КД2994Б кремниевый, эпитаксиально-планарный.
Предназначен для преобразования переменного напряжения частотой до 200 кГц во вторичных источниках питания и схемах телефонии.
Выпускается в металлопластмассовом корпусе с жесткими выводами.

КД2995А
Диоды кремниевые, эпитаксиальные.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой от 20 до 200 кГц (2Д2995А, 2Д2995Б, 2Д2995В, 2Д2995Г, 2Д2995Д, КД2995А, КД2995Б, КД2995В) и от 10 до 200 кГц (2Д2995Е, 2Д2995Ж, 2Д2995И, КД2995Г, КД2995Д, КД2995Е) во вторичных источниках электропитания.

КД2995Б
Диоды кремниевые, эпитаксиальные.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой от 20 до 200 кГц (2Д2995А, 2Д2995Б, 2Д2995В, 2Д2995Г, 2Д2995Д, КД2995А, КД2995Б, КД2995В) и от 10 до 200 кГц (2Д2995Е, 2Д2995Ж, 2Д2995И, КД2995Г, КД2995Д, КД2995Е) во вторичных источниках электропитания.

КД2995В
Диоды кремниевые, эпитаксиальные.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой от 20 до 200 кГц (2Д2995А, 2Д2995Б, 2Д2995В, 2Д2995Г, 2Д2995Д, КД2995А, КД2995Б, КД2995В) и от 10 до 200 кГц (2Д2995Е, 2Д2995Ж, 2Д2995И, КД2995Г, КД2995Д, КД2995Е) во вторичных источниках электропитания.

КД2995Г
Диоды кремниевые, эпитаксиальные.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой от 20 до 200 кГц (2Д2995А, 2Д2995Б, 2Д2995В, 2Д2995Г, 2Д2995Д, КД2995А, КД2995Б, КД2995В) и от 10 до 200 кГц (2Д2995Е, 2Д2995Ж, 2Д2995И, КД2995Г, КД2995Д, КД2995Е) во вторичных источниках электропитания.

КД2995Д
Диоды кремниевые, эпитаксиальные.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой от 20 до 200 кГц (2Д2995А, 2Д2995Б, 2Д2995В, 2Д2995Г, 2Д2995Д, КД2995А, КД2995Б, КД2995В) и от 10 до 200 кГц (2Д2995Е, 2Д2995Ж, 2Д2995И, КД2995Г, КД2995Д, КД2995Е) во вторичных источниках электропитания.

КД2995Е
Диоды кремниевые, эпитаксиальные.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой от 20 до 200 кГц (2Д2995А, 2Д2995Б, 2Д2995В, 2Д2995Г, 2Д2995Д, КД2995А, КД2995Б, КД2995В) и от 10 до 200 кГц (2Д2995Е, 2Д2995Ж, 2Д2995И, КД2995Г, КД2995Д, КД2995Е) во вторичных источниках электропитания.

КД2997А
Диоды КД2997А кремниевые, эпитаксиально-диффузионные.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 100 кГц.

КД2997Б
Диоды КД2997Б кремниевые, эпитаксиально-диффузионные.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 100 кГц.

КД2997В
Диоды КД2997В кремниевые, эпитаксиально-диффузионные.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 100 кГц.

КД2998А
Диоды КД2998А кремниевые, эпитаксиально-планарные, с барьером Шотки.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой от 10 до 200 кГц в низковольтных вторичных источниках электропитания.

КД2998Б
Диоды КД2998Б кремниевые, эпитаксиально-планарные, с барьером Шотки.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой от 10 до 200 кГц в низковольтных вторичных источниках электропитания.

КД2998В
Диоды КД2998В кремниевые, эпитаксиально-планарные, с барьером Шотки.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой от 10 до 200 кГц в низковольтных вторичных источниках электропитания.

КД2998Г
Диоды КД2998Г кремниевые, эпитаксиально-планарные, с барьером Шотки.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой от 10 до 200 кГц в низковольтных вторичных источниках электропитания.

КД2999А
Диоды КД2999А кремниевые, эпитаксиально-диффузионные.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 100 кГц.

КД2999Б
Диоды КД2999Б кремниевые, эпитаксиально-диффузионные.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 100 кГц.

КД2999В
Диоды КД2999В кремниевые, эпитаксиально-диффузионные.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 100 кГц.

КД407А
Диод КД407А кремниевый, эпитаксиально-планарный.
Предназначен для применения в качестве высокочастотных детекторов.

КД409А
Диод кремниевый, эпитаксиальный.
Предназначен для использования в селекторах телевизионных каналов и высокочастотных детекторах.

Диоды КД409А-9 кремниевые, эпитаксиально-планарные.
Предназначены для использования в схемах селекторов телевизионных каналов и схемах высокочастотных детекторов.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.

КД410АМ
Диоды кремниевые, диффузионные, универсальные.
Предназначены для применения в блоках строчной развертки телевизионной аппаратуры.

КД411АМ
Диоды КД411АМ кремниевые, диффузионные, быстродействующие.
Предназначены для применения в телевизионных приемниках цветного изображения на частотах до 30 кГц.

КД411БМ
Диоды КД411БМ кремниевые, диффузионные, быстродействующие.
Предназначены для применения в телевизионных приемниках цветного изображения на частотах до 30 кГц.

КД411ВМ
Диоды КД411ВМ кремниевые, диффузионные, быстродействующие.
Предназначены для применения в телевизионных приемниках цветного изображения на частотах до 30 кГц.

КД411ГМ
Диоды КД411ГМ кремниевые, диффузионные, быстродействующие.
Предназначены для применения в телевизионных приемниках цветного изображения на частотах до 30 кГц.

КД413А
Диоды кремниевые, эпитаксиальные, со структурой типа p-i-n.
Предназначены для применения в качестве высокочастотных резистивных элементов.

КД413Б
Диоды кремниевые, эпитаксиальные, со структурой типа p-i-n.
Предназначены для применения в качестве высокочастотных резистивных элементов.

КД417А
Диоды кремниевые, эпитаксиальные.
Предназначены для применения в качестве высокочастотных резистивных элементов.

Диоды КД419Б кремниевые с барьером Шотки.
Предназначены для применения в линейных детекторах и преобразователях сигнала в широком динамическом диапазоне на частотах до 400 МГц.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами.

Диоды КД419В кремниевые с барьером Шотки.
Предназначены для применения в линейных детекторах и преобразователях сигнала в широком динамическом диапазоне на частотах до 400 МГц.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами.

Диоды КД509А кремниевые, эпитаксиально-планарные, импульсные.
Предназначены для применения в импульсных устройствах.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами.

Диоды КД510А кремниевые, эпитаксиально-планарные, импульсные.
Предназначены для применения в импульсных устройствах.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами.

КД510А1/СО
Диоды КД510А1/СО кремниевые, эпитаксиально-планарные, импульсные.
Предназначены для применения в импульсных устройствах.

КД512А
Диод КД512А кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный.
Предназначен для применения в импульсных устройствах наносекундного диапазона.

КД512Б
Диод КД512Б кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный.
Предназначен для применения в импульсных устройствах наносекундного диапазона.

КД513А
Диод КД513А кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный.
Предназначен для применения в импульсных устройствах наносекундного диапазона.

КД514А
Диод КД514А кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный.
Предназначен для применения в импульсных устройствах.

КД521А
Диоды кремниевые, эпитаксиально-планарные, импульсные.
Предназначены для применения в импульсных устройствах.

КД521В
Диоды кремниевые, эпитаксиально-планарные, импульсные.
Предназначены для применения в импульсных устройствах.

КД521Г
Диоды кремниевые, эпитаксиально-планарные, импульсные.
Предназначены для применения в импульсных устройствах.

КД522А
Диоды кремниевые, эпитаксиально-планарные, импульсные.
Предназначены для применения в импульсных устройствах.

КД522Б
Диоды кремниевые, эпитаксиально-планарные, импульсные.
Предназначены для применения в импульсных устройствах.

КД522В
Диоды кремниевые, эпитаксиально-планарные, импульсные.
Предназначены для применения в импульсных устройствах.

КД524А
Диоды кремниевые, эпитаксиальные, с накоплением заряда, импульсные.
Предназначены для формирования импульсов субнано-секундного диапазона.

КД629АС9
Кремниевые импульсные эпитаксиально-планарные наборы двух последовательно соединенных диодов.
КД629АС9 предназначены для применения в качестве элементов в гибридных микросхемах.

КД636АС
Кремниевые эпитаксиальные с барьером Шоттки выпрямительные диодные сборки, состоящие из двух элементов с объединенным катодом.
КД636АС предназначены для работы в источниках питания различного назначения радиоэлектронной аппаратуры.

КД636БС
Кремниевые эпитаксиальные с барьером Шоттки выпрямительные диодные сборки, состоящие из двух элементов с объединенным катодом.
КД636БС предназначены для работы в источниках питания различного назначения радиоэлектронной аппаратуры.

КД636ВС
Кремниевые эпитаксиальные с барьером Шоттки выпрямительные диодные сборки, состоящие из двух элементов с объединенным катодом.
КД636ВС предназначены для работы в источниках питания различного назначения радиоэлектронной аппаратуры.

КД637ВС
Кремниевые эпитаксиальные с барьером Шоттки выпрямительные диодные сборки, состоящие из двух элементов с объединенным катодом.
КД637ВС предназначены для работы в источниках питания различного назначения радиоэлектронной аппаратуры.

КД637ГС
Кремниевые эпитаксиальные с барьером Шоттки выпрямительные диодные сборки, состоящие из двух элементов с объединенным катодом.
КД637ГС предназначены для работы в источниках питания различного назначения радиоэлектронной аппаратуры.

КД637ДС
Кремниевые эпитаксиальные с барьером Шоттки выпрямительные диодные сборки, состоящие из двух элементов с объединенным катодом.
КД637ДС предназначены для работы в источниках питания различного назначения радиоэлектронной аппаратуры.

КД637ЕС
Кремниевые эпитаксиальные с барьером Шоттки выпрямительные диодные сборки, состоящие из двух элементов с объединенным катодом.
КД637ЕС предназначены для работы в источниках питания различного назначения радиоэлектронной аппаратуры.

КД638АС
Кремниевые эпитаксиальные с барьером Шоттки выпрямительные диодные сборки, состоящие из двух элементов с объединенным катодом.
КД638АС предназначены для работы в источниках питания различного назначения радиоэлектронной аппаратуры.

КД638БС
Кремниевые эпитаксиальные с барьером Шоттки выпрямительные диодные сборки, состоящие из двух элементов с объединенным катодом.
КД638БС предназначены для работы в источниках питания различного назначения радиоэлектронной аппаратуры.

КД638ВС
Кремниевые эпитаксиальные с барьером Шоттки выпрямительные диодные сборки, состоящие из двух элементов с объединенным катодом.
КД638ВС предназначены для работы в источниках питания различного назначения радиоэлектронной аппаратуры.

КД642АС
Кремниевые эпитаксиально-планарные выпрямительные диодные сборки, состоящие из двух диодов с общим анодом.
КД642АС предназначены для работы в источниках питания различного назначения радиоэлектронной аппаратуры.

КД704АС9
Сборка диодная КД704АС9 кремниевая эпитаксиально-планарная, импульсная, состоящая из двух диодов, с общим катодом.
Предназначена для использования в гибридных схемах с общей герметизацией и негерметичных объемах с дополнительным покрытием лаком или компаундом.

КД706АС9
Сборка диодная КД706АС9 кремниевая эпитаксиально-планарная, импульсная, состоящая из двух диодов.
Предназначена для использования в гибридных схемах с общей герметизацией и негерметичных объемах с дополнительным покрытием лаком или компаундом.

КД707АС9
Кремниевые эпитаксиально-планарные импульсные наборы двух последовательно соединенных диодов в миниатюрном пластмассовом корпусе КТ-46, требующие дополнительных мер индивидуальной или общей в составе аппаратуры защиты от воздействия климатических и биологических факторов.
КД707АС9 предназначены для работы в аппаратуре специального назначения.

КД803АС9
Кремниевые эпитаксиально-планарные импульсные наборы двух диодов.
КД803АС9 предназначены для использования в быстродействующих импульсных схемах радиотехнических и электронных устройств.

КД906А
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов.
Предназначены для применения в качестве выпрямительного моста (матрицы КД906А, КД906Б, КД906В - при включении в схему выводами: 3, 4 - вход, 1, 2 - выход) или резервированного диодного элемента (матрицы КД906А, КД906Б, КД906В - при включении в схему любой из следующих пар выводов: 1 и 2, 1 и 3, 1 и 4, 3 и 2, 4 и 2, а также матрицы КД906Г, КД906Д, КД906Е - при включении в схему выводами 1, 2 и 3, 4.).

КД906Б
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов.
Предназначены для применения в качестве выпрямительного моста (матрицы КД906А, КД906Б, КД906В - при включении в схему выводами: 3, 4 - вход, 1, 2 - выход) или резервированного диодного элемента (матрицы КД906А, КД906Б, КД906В - при включении в схему любой из следующих пар выводов: 1 и 2, 1 и 3, 1 и 4, 3 и 2, 4 и 2, а также матрицы КД906Г, КД906Д, КД906Е - при включении в схему выводами 1, 2 и 3, 4.).

КД906В
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов.
Предназначены для применения в качестве выпрямительного моста (матрицы КД906А, КД906Б, КД906В - при включении в схему выводами: 3, 4 - вход, 1, 2 - выход) или резервированного диодного элемента (матрицы КД906А, КД906Б, КД906В - при включении в схему любой из следующих пар выводов: 1 и 2, 1 и 3, 1 и 4, 3 и 2, 4 и 2, а также матрицы КД906Г, КД906Д, КД906Е - при включении в схему выводами 1, 2 и 3, 4.).

КД908АМ
Диодные матрицы, состоящие из восьми кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов, с общим катодом.
Предназначены для применения в импульсных быстродействующих переключающих схемах.

КД917АМ
Диодные матрицы, состоящие из восьми кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов, с общим анодом.
Предназначены для применения в импульсных быстродействующих переключающих схемах.

КД924А
Диод КД924А кремниевый, планарный, с барьером Шотки.
Предназначен для применения в импульсных устройствах, в формирователях импульсов субнаносекундного диапазона и преобразователях высокочастотного напряжения.

Диод КД927А кремниевый, импульсный.
Предназначен для применения в импульсных устройствах.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.

КДС111А
Диодная сборка, состоящая каждая из двух диодов, включенных с общим катодом.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.

КДС111Б
Диодная сборка, состоящая каждая из двух диодов, включенных с общим катодом.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.

КДС111В
Диодная сборка, состоящая каждая из двух диодов, включенных с общим катодом.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.

КДС523АМ
Диодные сборки, состоящие каждая из двух (КДС523А, КДС523Б, КДС523АМ, КДС523БМ) или четырех (КДС523В, КДС523Г, КДС523ВМ, КДС523ГМ) кремниевых, планарно-эпитаксиальных импульсных диодов, с раздельными выводами.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.

КДС523БМ
Диодные сборки, состоящие каждая из двух (КДС523А, КДС523Б, КДС523АМ, КДС523БМ) или четырех (КДС523В, КДС523Г, КДС523ВМ, КДС523ГМ) кремниевых, планарно-эпитаксиальных импульсных диодов, с раздельными выводами.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.

КДШ2968АС
Набор мощных кремниевых эпитаксиально-планарных диодов с барьером Шоттки.
Предназначены для работы в импульсных источниках питания, конверторах, устройствах заряда батарей.

КДШ2968ВС
Набор мощных кремниевых эпитаксиально-планарных диодов с барьером Шоттки.
Предназначены для работы в импульсных источниках питания, конверторах, устройствах заряда батарей.

КН102А
Тиристоры кремниевые КН102А, диффузионные, структуры p-n-p-n, диодные.
Предназначены для применения в импульсных устройствах в качестве переключающих элементов.

КН102Б
Тиристоры кремниевые КН102Б, диффузионные, структуры p-n-p-n, диодные.
Предназначены для применения в импульсных устройствах в качестве переключающих элементов.

КН102В
Тиристоры кремниевые КН102В, диффузионные, структуры p-n-p-n, диодные.
Предназначены для применения в импульсных устройствах в качестве переключающих элементов.

КН102Г
Тиристоры кремниевые КН102Г, диффузионные, структуры p-n-p-n, диодные.
Предназначены для применения в импульсных устройствах в качестве переключающих элементов.

КН102Д
Тиристоры кремниевые КН102Д, диффузионные, структуры p-n-p-n, диодные.
Предназначены для применения в импульсных устройствах в качестве переключающих элементов.