different diodes

1642 диод кремниевый с повышенной радиационной стойкостью предназначен для работы в ядерной электронике и на космических станциях.

Прямое напряжение при токе 50 мА и при температуре:

- от -65° С до -55° С - не более 1,25 В;

- от +15° С до +35° С - не более 1 В;

- от +118° С до +122° С - не более 1 В.

Максимально допустимое обратное напряжение при температуре от -60° С до +120° С - не более 50 В.

More info ...

1643 диод кремниевый с повышенной радиационной стойкостью предназначен для работы в ядерной электронике и на космических станциях.

Прямое напряжение при токе 50 мА и при температуре:

- от -65° С до -55° С - не более 1,25 В;

- от +15° С до +35° С - не более 1 В;

- от +118° С до +122° С - не более 1 В.

Максимально допустимое обратное напряжение при температуре от -60° С до +120° С - не более 100 В.

More info ...

2Ц202Е

2Ц202Е столб импульсный предназначен для преобразования переменного импульсного напряжения.

Частота без снижения электрических режимов - 1 кГц.

Среднее прямое напряжение:

- при температуре +25º С и прямом токе 500 мА - не более 10 В.

- при температуре -60º С и прямом токе 500 мА - не более 12 В.

More info ...

3А614А

3А614А диод арсенидгаллиевый, мезадиффузионный, умножительный предназначен для применения в схемах умножения частоты сверхвысокочастотного диапазона.

Предельная частота при постоянном обратном напряжении 6 В, частоте 2,3±0,4 ГГц - не менее 320 ГГц.

Общая емкость при постоянном обратном напряжении 6 В, частоте 30 МГц - от 0,4 пФ до 0,7 пФ.

Емкость корпуса диода 3А614А - от 0,18 пФ до 0,26 пФ.

More info ...