2D diodes

2Д510А1/СО ОСМ диод быстродействующий выпрямительный кремниевый эпитаксиально-планарный предназначен для применения в импульсных устройствах.

Максимально допустимое постоянное обратное напряжение - не более 50 В.

Максимально допустимое постоянное, импульсное и обратное напряжение - не более 70 В.

Максимально допустимый средний прямой ток - не более 0,2 А.

More info ...

2Д522Б

2Д522Б диод импульсный кремниевый эпитаксиально-планарный предназначен для применения в импульсных устройствах.

Постоянное прямое напряжение при прямом токе 100 мА и температуре:

- (+25)º С и +125º С - не более 1,1 В;

- (+25)º С (типовое значение) - 0,95 В;

- (-60)º С - не более 1,5 В.

More info ...

2Д922А

2Д922А диод кремниевый планарный с барьером Шотки предназначен для применения в быстродействующих импульсных устройствах, а также в устройствах преобразования переменного напряжения в диапазоне частот от 50 Гц до 1000 МГц.

Постоянное прямое напряжение:

- при температуре +25° С и прямом токе 50 мА - 0,8 В; 0,89 В; 1 В;

- при температуре +25° С и прямом токе 50 мА - 0,4 В;

- при температуре +100° С и прямом токе 10 мА - 0,5 В.

More info ...

2Д922А ОСМ диод кремниевый планарный с барьером Шотки предназначен для применения в быстродействующих импульсных устройствах, а также в устройствах преобразования переменного напряжения в диапазоне частот от 50 Гц до 1000 МГц.

Постоянное прямое напряжение:

- при температуре +25° С и прямом токе 50 мА - 0,8 В; 0,89 В; 1 В;

- при температуре +25° С и прямом токе 50 мА - 0,4 В;

- при температуре +100° С и прямом токе 10 мА - 0,5 В.

More info ...

2Д922АГ

2Д922АГ диоды кремниевые планарные с барьером Шотки предназначены для применения в быстродействующих импульсных устройствах, а также в устройствах преобразования переменного напряжения в диапазоне частот от 50 Гц до 1000 МГц.

Постоянное прямое напряжение:

- при температуре +25° С и прямом