сборки транзисторные (2П, 2Т, КП, КТ и другие)
1НТ251
Транзисторные сборки 1НТ251, состоящие из четырех кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n переключательных транзисторов.
Предназначены для применения в переключающих устройствах.
1НТ251А
Транзисторные сборки 1НТ251А, состоящие из четырех кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n переключательных транзисторов.
Предназначены для применения в переключающих устройствах.
1НТ251А2
Транзисторные сборки 1НТ251А2, состоящие из четырех кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n переключательных транзисторов.
Предназначены для применения в переключающих устройствах.
1ТС609А
Транзисторные сборки 1ТС609А, состоящие из четырех германиевых диффузионио-сплавных р-п-р переключательных высокочастотных маломощных транзисторов.
Предназначены для применения в переключательных схемах.
1ТС609Б
Транзисторные сборки 1ТС609Б, состоящие из четырех германиевых диффузионио-сплавных р-п-р переключательных высокочастотных маломощных транзисторов.
Предназначены для применения в переключательных схемах.
2П7120ВС
Транзисторная сборка 2П7120ВС кремниевых эпитаксиально-планарных полевых с изолированным затвором мощных переключательных транзисторов.
Корпусное исполнение: 427.8-1.
2П7240БС9
Транзисторная сборка 2П7240БС9 n-канальная переключательная с рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт, с максимальной рабочей частотой более 3 МГц, но не более 30 МГц-
Корпусное исполнение: 4320.8-А.
2П7240ВС9
Транзисторная сборка 2П7240ВС9 n-канальная переключательная с рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт, с максимальной рабочей частотой более 3 МГц, но не более 30 МГц-
Корпусное исполнение: 4320.8-А.
2П826АС
Транзистор 2П826АС кремниевый полевой n-канальный с изолированным затвором, выполненный по DMOS технологии.
Предназначен для использования в усилителях мощности на частотах до 80 МГц.
2П9103ГС
Транзисторная сборка 2П9103ГС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по LDMOS технологии.
Предназначен для работы в аппаратуре радиосвязи с высокими требованиями по линейности и передающих станциях эфирного телевещания.
2П9103ДС
Транзисторная сборка 2П9103ДС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по LDMOS технологии.
Предназначен для работы в аппаратуре радиосвязи с высокими требованиями по линейности и передающих станциях эфирного телевещания.
2П9110ЕС
Транзисторная сборка 2П9110ЕС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по LDMOS технологии.
Предназначен для работы в бортовой и наземной радиопередающей авиационной аппаратуре, в системах навигации и радиолокации.
2П9111БС
Транзисторная сборка 2П9111БС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по LDMOS технологии.
Предназначен для использования в усилителях мощности на частотах до 500 МГц.
2П9111ВС
Транзисторная сборка 2П9111ВС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по LDMOS технологии.
Предназначен для использования в усилителях мощности на частотах до 500 МГц.
2П9115АС
Транзисторная сборка 2П9115АС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по LDMOS технологии.
Предназначена для применения в бортовой и наземной радиопередающей авиационной аппаратуре, в системах навигации и радиолокации.
2П9120ВС
Транзисторная сборка 2П9120ВС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по LDMOS технологии.
Предназначен для работы в радиопередающей аппаратуре РЛС и других средств радиосвязи.
2П980БС
Транзисторная сборка 2П980БС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по LDMOS технологии.
Предназначен для использования в усилителях мощности на частотах до 1000 МГц.
2П981БС
Транзисторная сборка 2П981БС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по DMOS технологии.
Предназначен для использования в усилителях мощности на частотах до 500 МГц.
2П981ВС
Транзисторная сборка 2П981ВС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по DMOS технологии.
Предназначен для использования в усилителях мощности на частотах до 500 МГц.
2П986ЕС
Транзисторная сборка 2П986ЕС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по LDMOS технологии.
Предназначен для использования в усилителях мощности на частотах до 500 МГц.
2П998БС
Транзисторная сборка 2П998БС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по LDMOS технологии.
Предназначен для использования в усилителях мощности на частотах до 500 МГц.
2ПС104А
Транзисторная сборка 2ПС104А состоящая из двух кремниевых эпитаксиально-планарных ионнолегированных полевых с затвором на основе p-n перехода с каналом n-типа транзисторов.
Предназначена для применения в входных каскадах дифференциальных малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением.
2ПС104Г
Транзисторная сборка 2ПС104Г состоящая из двух кремниевых эпитаксиально-планарных ионнолегированных полевых с затвором на основе p-n перехода с каналом n-типа транзисторов.
Предназначена для применения в входных каскадах дифференциальных малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением.
2ПС104Д
Транзисторная сборка 2ПС104Д состоящая из двух кремниевых эпитаксиально-планарных ионнолегированных полевых с затвором на основе p-n перехода с каналом n-типа транзисторов.
Предназначена для применения в входных каскадах дифференциальных малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением.
2ПС202А-1
Транзисторная сборка 2ПС202А-1 состоящая из двух кремниевых эпитаксиально-планарных ионно-легированных полевых малошумящих транзисторов с p-n переходом и каналом n-типа.
Сборка предназначена для применения в входных каскадах дифференциальных малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением.
2ПС202Б-1
Транзисторная сборка 2ПС202Б-1 состоящая из двух кремниевых эпитаксиально-планарных ионно-легированных полевых малошумящих транзисторов с p-n переходом и каналом n-типа.
Сборка предназначена для применения в входных каскадах дифференциальных малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением.
2ПС202В-1
Транзисторная сборка 2ПС202В-1 состоящая из двух кремниевых эпитаксиально-планарных ионно-легированных полевых малошумящих транзисторов с p-n переходом и каналом n-типа.
Сборка предназначена для применения в входных каскадах дифференциальных малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением.
2ПС202Г-1
Транзисторная сборка 2ПС202Г-1 состоящая из двух кремниевых эпитаксиально-планарных ионно-легированных полевых малошумящих транзисторов с p-n переходом и каналом n-типа.
Сборка предназначена для применения в входных каскадах дифференциальных малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением.
2Т687АС-2
Транзисторные сборки 2Т687АС-2 состоящие из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры p-n-p переключающих транзисторов.
Предназначены для применения в импульсных линейных усилителях и преобразователях.
2Т687БС-2
Транзисторные сборки 2Т687БС-2 состоящие из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры p-n-p переключающих транзисторов.
Предназначены для применения в импульсных линейных усилителях и преобразователях.
2Т689АС
Транзисторы 2Т689АС p-n-p биполярные переключательные импульсные с рассеиваемой мощностью не более 0.4 Вт, с граничной частотой коэффициента передачи тока не более 300 МГц.
Тип корпуса: 401.14-6.
2Т690АС
Транзисторы 2Т690АС n-p-n биполярные переключательные импульсные с рассеиваемой мощностью не более 0.4 Вт, с граничной частотой коэффициента передачи тока не более 300 МГц.
Тип корпуса: 401.14-6.
2Т693АС
Сборки 2Т693АС из четырех кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n транзисторов с рассеиваемой мощностью не более 1.5 Вт, с граничной частотой коэффициента передачи тока не более 300 МГц.
Тип корпуса: 401.14-5M.
2Т9101АС
Сборки 2Т9101АС из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов.
Предназначены для применения в двухтактных широкополосных усилителях мощности в диапазоне частот 350-700 МГц в схеме с общей базой при напряжении питания 28 В.
2Т9105АС
Сборки 2Т9105АС из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов.
Предназначены для применения в двухтактных широкополосных усилителях мощности в диапазоне частот 100-500 МГц при напряжении питания 28 В.
2Т9125АС
Транзисторная сборка 2Т9125АС из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов.
Предназначена для применения в двухтактных широкополосных усилителях мощности и генераторах в диапазоне частот 100-500 МГц в схеме ОЭ при напряжении питания 28 В.
2Т9128АС
Сборка 2Т9128АС из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов.
Предназначена для применения в двухтактных усилителях мощности в диапазоне частот 100-200 МГц в схеме ОЭ при напряжении питания 28 В.
2Т9132АС
Транзисторная сборка 2Т9132АС из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов.
Предназначена для применения в двухтактных широкополосных усилителях и генераторах в полосе частот 350-700 МГц в схеме ОБ при напряжении питания 31 В.
2Т9136АС
Транзисторная сборка 2Т9136АС из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов.
Предназначена для применения в импульсных генераторах, усилителях мощности в диапазоне частот 200-500 МГц в схеме ОБ при напряжении питания 45 В.
2Т9153АС
Транзисторная сборка 2Т9153АС из двух кремниевых n-p-n генераторных СВЧ широкополосных транзисторов с общим эмиттером и балластными резисторами в цепи эмиттера.
Предназначена для работы в двухтактных усилителях мощности в полосе частот 390-840 МГц в схеме с общим эмиттером.
2Т9153БС
Транзисторная сборка 2Т9153БС из двух кремниевых n-p-n генераторных СВЧ широкополосных транзисторов с общим эмиттером и балластными резисторами в цепи эмиттера.
Предназначена для работы в двухтактных усилителях мощности в полосе частот 390-840 МГц в схеме с общим эмиттером.
2Т9156АС
Транзисторная сборка 2Т9156АС из двух кремниевых n-p-n генераторных широкополосных транзисторов.
Предназначена для работы в двухтактных усилителях мощности в полосе частот 650-1000 МГц в схеме с общим эмиттером.
2Т9156БС
Транзисторная сборка 2Т9156БС из двух кремниевых n-p-n генераторных широкополосных транзисторов.
Предназначена для работы в двухтактных усилителях мощности в полосе частот 650-1000 МГц в схеме с общим эмиттером.
2Т9161АС
Транзисторная сборка 2Т9161АС из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов.
Предназначена для применения в двухтактных импульсных усилителях мощности и генераторах в схеме с общей базой в диапазоне частот 200-500 МГц при напряжении питания 45 В.
2Т9164АС
Транзисторная сборка 2Т9156АС из двух кремниевых эпитаксиально-планарных n-p-n мощных СВЧ импульсных генераторных транзисторов с общей базой.
Предназначена для работы в усилителях мощности в диапазоне частот 1030-1090 МГц аппаратуры специального назначения.
2Т9195БС
Транзисторная сборка 2Т9195БС из двух кремниевых n-p-n мощных импульсных СВЧ транзисторов с внутренними согласующимися цепями по входу.
Предназначена для работы для работы в усилителях мощности в диапазоне частот 720-1150 МГц в схеме с общей базой в режиме класса С.
2Т985АС
Сборки 2Т985АС из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов.
Предназначены для применения в двухтактных широкополосных усилителях мощности в диапазоне частот 220-400 МГц при напряжении питания 28 В.
2Т991АС
Сборки 2Т991АС из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов.
Предназначены для применения в двухтактных широкополосных усилителях мощности в схеме с общей базой в полосе частот 350-700 МГц при напряжении питания 28 В.
2ТС3103А
Транзисторные сборки 2ТС3103А, состоящие каждая из двух кремниевых планарных структуры p-n-p усилительных транзисторов с раздельными выводами.
Предназначены для применения в дифференциальных усилительных каскадах.
2ТС3103Б
Транзисторные сборки 2ТС3103Б, состоящие каждая из двух кремниевых планарных структуры p-n-p усилительных транзисторов с раздельными выводами.
Предназначены для применения в дифференциальных усилительных каскадах.
2ТС393А-1
Транзисторные сборки 2ТС393А-1, состоящие из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры p-n-p усилительных транзисторов на одном кристалле с раздельными выводами.
Предназначены для применения в широкополосных балансных, дифференциальных и операционных усилителях и других каскадах герметизированной аппаратуры, в которых требуется идентичность параметров двух транзисторов.
2ТС393А-1Н
Транзисторные сборки 2ТС393А-1Н, состоящие из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры p-n-p усилительных транзисторов на одном кристалле с раздельными выводами.
Транзисторные сборки, состоящие из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры p-n-p усилительных транзисторов на одном кристалле с раздельными выводами.
2ТС393Б-1
Транзисторные сборки 2ТС393Б-1, состоящие из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры p-n-p усилительных транзисторов на одном кристалле с раздельными выводами.
Транзисторные сборки, состоящие из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры p-n-p усилительных транзисторов на одном кристалле с раздельными выводами.
2ТС398А-1
Транзисторные сборки 2ТС398А-1, состоящие каждая из двух изготовленных на одном кристалле кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n усилительных транзисторов с раздельными выводами.
Предназначены для применения в герметизированной аппаратуре в широкополосных балансных, дифференциальных и операционных усилителях и других каскадах, в которых требуется идентичность параметров двух транзисторов.
2ТС398Б-1
Транзисторные сборки 2ТС398Б-1, состоящие каждая из двух изготовленных на одном кристалле кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n усилительных транзисторов с раздельными выводами.
Предназначены для применения в герметизированной аппаратуре в широкополосных балансных, дифференциальных и операционных усилителях и других каскадах, в которых требуется идентичность параметров двух транзисторов.
2ТС613А
Транзисторные матрицы 2ТС613А состоят из четырех электрически изолированных кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n переключающих высокочастотных транзисторов.
Предназначены для применения в быстродействующих импульсных и переключающих устройствах, различных каскадах вычислительных машин и другой радиоэлектронной аппаратуры.
2ТС613Б
Транзисторные матрицы 2ТС613Б состоят из четырех электрически изолированных кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n переключающих высокочастотных транзисторов.
Предназначены для применения в быстродействующих импульсных и переключающих устройствах, различных каскадах вычислительных машин и другой радиоэлектронной аппаратуры.
2ТС622А
Транзисторные матрицы 2ТС622А, 2ТС622Б, КТС622А, КТС622Б, состоящие из четырех электрически изолированных кремниевых эпитаксиально-планарных структуры p-n-p переключающих сверхвысокочастотных транзисторов.
Предназначены для применения в быстродействующих импульсных и переключающих устройствах.
2ТС622А-1
Транзисторные матрицы 2ТС622А-1, состоящие из четырех электрически изолированных кремниевых эпитаксиально-планарных структуры p-n-p переключающих сверхвысокочастотных транзисторов.
Предназначены для применения в быстродействующих импульсных и переключающих устройствах.
2ТС622Б
Транзисторные матрицы 2ТС622А, 2ТС622Б, КТС622А, КТС622Б, состоящие из четырех электрически изолированных кремниевых эпитаксиально-планарных структуры p-n-p переключающих сверхвысокочастотных транзисторов.
Предназначены для применения в быстродействующих импульсных и переключающих устройствах.
2ТС843А
Транзисторная сборка 2ТС843А состоит из четырех переключающих кремниевых мезапланарных структур n-p-n транзисторов.
Предназначена для применения в источниках вторичного электропитания в системах автоматического управления.
ГТС609Б
Транзисторные сборки ГТС609Б, состоящие из четырех германиевых диффузионио-сплавных р-п-р переключательных высокочастотных маломощных транзисторов.
Предназначены для применения в переключательных схемах.
Транзисторная сборка К1НТ661А, состоящая из четырех кремниевых эпитаксиально-планарных n-p-n переключательных высокочастотных маломощных транзисторов.
Предназначена для применения в переключательных схемах.
Выпускается в металлокерамическом корпусе с гибкими выводами.
КП826АС
Транзистор КП826АС кремниевый полевой n-канальный с изолированным затвором, выполненный по DMOS технологии.
Предназначен для использования в усилителях мощности на частотах до 80 МГц.
КП9103ГС
Транзисторная сборка КП9103ГС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по LDMOS технологии.
Предназначен для работы в аппаратуре радиосвязи с высокими требованиями по линейности и передающих станциях эфирного телевещания.
КП9110ЕС
Транзисторная сборка КП9110ЕС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по LDMOS технологии.
Предназначен для работы в бортовой и наземной радиопередающей авиационной аппаратуре, в системах навигации и радиолокации.
КП9110ЖС
Транзисторная сборка КП9110ЖС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по LDMOS технологии.
Предназначен для работы в бортовой и наземной радиопередающей авиационной аппаратуре, в системах навигации и радиолокации.
КП9111БС
Транзисторная сборка КП9111БС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по LDMOS технологии.
Предназначен для использования в усилителях мощности на частотах до 500 МГц.
КП9111ВС
Транзисторная сборка КП9111ВС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по LDMOS технологии.
Предназначен для использования в усилителях мощности на частотах до 500 МГц.
2П9115АС
Транзисторная сборка 2П9115АС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по LDMOS технологии.
Предназначена для применения в бортовой и наземной радиопередающей авиационной аппаратуре, в системах навигации и радиолокации.
КП9120АС
Транзисторная сборка КП9120АС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по LDMOS технологии.
Предназначен для работы в радиопередающей аппаратуре РЛС и других средств радиосвязи.
КП9120БС
Транзисторная сборка КП9120БС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по LDMOS технологии.
Предназначен для работы в радиопередающей аппаратуре РЛС и других средств радиосвязи.
КП9120ВС
Транзисторная сборка КП9120ВС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по LDMOS технологии.
Предназначен для работы в радиопередающей аппаратуре РЛС и других средств радиосвязи.
КП9121АС
Транзисторная сборка КП9121АС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по LDMOS технологии.
Предназначен для использования в усилителях мощности на частотах до 500 МГц.
КП9133ДС
Транзисторная сборка КП9133ДС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по LDMOS технологии.
Предназначен для работы в аппаратуре радиосвязи на частотах на частотах до 1440 МГц.
КП980БС
Транзисторная сборка КП980БС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по LDMOS технологии.
Предназначен для использования в усилителях мощности на частотах до 1000 МГц.
КП981БС
Транзисторная сборка КП981БС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по DMOS технологии.
Предназначен для использования в усилителях мощности на частотах до 500 МГц.
КП981ВС
Транзисторная сборка КП981ВС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по DMOS технологии.
Предназначен для использования в усилителях мощности на частотах до 500 МГц.
КП986ЕС
Транзисторная сборка КП986ЕС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по LDMOS технологии.
Предназначен для использования в усилителях мощности на частотах до 500 МГц.
КП998БС
Транзисторная сборка КП998БС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по LDMOS технологии.
Предназначен для использования в усилителях мощности на частотах до 500 МГц.
КПС104А
Транзисторная сборка КПС104А состоящая из двух кремниевых эпитаксиально-планарных ионнолегированных полевых с затвором на основе p-n перехода с каналом n-типа транзисторов.
Сборка предназначена для применения в входных каскадах дифференциальных малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением.
КПС104Б
Транзисторная сборка КПС104Б состоящая из двух кремниевых эпитаксиально-планарных ионнолегированных полевых с затвором на основе p-n перехода с каналом n-типа транзисторов.
Сборка предназначена для применения в входных каскадах дифференциальных малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением.
КПС104В
Транзисторная сборка КПС104В состоящая из двух кремниевых эпитаксиально-планарных ионнолегированных полевых с затвором на основе p-n перехода с каналом n-типа транзисторов.
Сборка предназначена для применения в входных каскадах дифференциальных малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением.
КПС104Г
Транзисторная сборка КПС104Г состоящая из двух кремниевых эпитаксиально-планарных ионнолегированных полевых с затвором на основе p-n перехода с каналом n-типа транзисторов.
Сборка предназначена для применения в входных каскадах дифференциальных малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением.
КТ9105АС
Сборки КT9105AC из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов.
Предназначены для применения в двухтактных широкополосных усилителях мощности в диапазоне частот 100-500 МГц при напряжении питания 28 В.
КТ9128АС
Сборка КТ9128АС из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов.
Предназначена для применения в двухтактных усилителях мощности в диапазоне частот 100-200 МГц в схеме ОЭ при напряжении питания 28 В.
КТ9142А
Транзисторная сборка КТ9142А из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов.
Предназначена для применения в двухтактных широкополосных усилителях мощности класса АВ в схеме с общим эмиттером в диапазоне частот 470-860 МГц при напряжении питания 28 В.
КТ9147АС
Транзисторная сборка КТ9147АС из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов.
Предназначена для применения в широкополосных усилителях мощности в режиме класса С в схеме с общим эмиттером в диапазоне частот 200-400 МГц при напряжении питания 28 В.
КТ9150А
Транзисторная сборка КТ9150А из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов.
Предназначена для применения в линейных усилителях мощности в режиме класса А в схеме с общим эмиттером в диапазоне частот 470-860 МГц при напряжении питания 25 В.
КТ9151А
Сборка КТ9151А состоит из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных линейных транзисторов.
Предназначена для применения в линейных усилителях мощности класса АВ в схеме с общим эмиттером в диапазоне частот 48-230 МГц при напряжении питания 28 В.
КТ9152А
Транзисторная сборка КТ9152А из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов.
Предназначена для применения в широкополосных двухтактных усилителях мощности в режиме класса АВ в схеме с общим эмиттером в диапазоне частот 470-860 МГц при напряжении питания 28 В.
КТ9153АС
Транзисторные сборки КТ9153АС из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов.
Предназначены для применения в широкополосных усилителях мощности в режиме класса АВ в двухтактной схеме с общей базой в диапазоне частот 390-840 МГц при напряжении питания 28 В.
КТ9153БС
Транзисторные сборки КТ9153БС из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов.
Предназначены для применения в широкополосных усилителях мощности в режиме класса АВ в двухтактной схеме с общей базой в диапазоне частот 390-840 МГц при напряжении питания 28 В.
КТ9155А
Транзисторная сборка КТ9155А из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных линейных транзисторов.
Предназначены для применения в двухтактных широкополосных усилителях мощности класса АВ в схеме с общей базой в диапазоне частот 150-860 МГц при напряжении питания 28 В.
КТ9155Б
Транзисторная сборка КТ9155Б из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных линейных транзисторов.
Предназначены для применения в двухтактных широкополосных усилителях мощности класса АВ в схеме с общей базой в диапазоне частот 150-860 МГц при напряжении питания 28 В.
КТ9155В
Транзисторная сборка КТ9155В из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных линейных транзисторов.
Предназначены для применения в двухтактных широкополосных усилителях мощности класса АВ в схеме с общей базой в диапазоне частот 150-860 МГц при напряжении питания 28 В.
КТ9156АС
Транзисторная сборка КТ9156АС из двух кремниевых n-p-n генераторных широкополосных транзисторов.
Предназначена для работы в двухтактных усилителях мощности в полосе частот 650-1000 МГц в схеме с общим эмиттером.
КТ9156БС
Транзисторная сборка КТ9156БС из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов.
Предназначены для применения в двухтактных широкополосных усилителях мощности класса АВ в схеме с общей базой в диапазоне частот 650-1000 МГц при напряжении питания 28 В.
КТ9164АС
Транзисторная сборка КТ9164АС из двух кремниевых эпитаксиально-планарных n-p-n мощных СВЧ импульсных генераторных транзисторов с общей базой.
Предназначена для работы в усилителях мощности в диапазоне частот 1030-1090 МГц аппаратуры специального назначения.
КТ9182А
Транзисторная сборка КТ9182А из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных линейных транзисторов.
Предназначена для применения в широкополосных двухтактных усилителях мощности в режиме класса «АВ» в схеме с общим эмиттером в диапазоне частот 470-860 МГц при напряжении питания 28 В.
КТ9195БС
Транзисторная сборка КТ9195БС из двух кремниевых n-p-n мощных импульсных СВЧ транзисторов с внутренними согласующимися цепями по входу.
Предназначена для работы для работы в усилителях мощности в диапазоне частот 720-1150 МГц в схеме с общей базой в режиме класса С.
КТ991АС
Сборки КТ991АС из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов.
Предназначены для применения в двухтактных широкополосных усилителях мощности в схеме с общей базой в полосе частот 350-700 МГц при напряжении питания 28 В.
КТС613Б
Транзисторные матрицы КТС613Б состоят из четырех электрически изолированных кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n переключающих высокочастотных транзисторов.
Предназначены для применения в быстродействующих импульсных и переключающих устройствах, различных каскадах вычислительных машин и другой радиоэлектронной аппаратуры.
Отдел продаж
Внимание!
В связи с большим количеством входных заказов, для ускорения их обработки, новые заявки принимаются только на
Email, и через кнопку
, и через кнопку
Украина, Львов
ул. Городоцкая, 222
Пн-Пт 8:00 - 18:00
Опрос
Откуда вы узнали о сайте zapadpribor.com?
Товары в этой категории
Товары дня(10)
Вся текстовая и графическая информация на сайте несет информативный характер. Цвет, оттенок, материал, геометрические размеры, вес, содержание, комплект поставки и другие параметры товара представленого на сайте могут изменяться в зависимости от партии производства и года изготовления. Более подробную информацию уточняйте в отделе продаж.
Ведущий интернет-магазин Западприбор - это огромный выбор измерительного оборудования по лучшему соотношению цена и качество. Чтобы Вы могли купить приборы недорого, мы проводим мониторинг цен конкурентов и всегда готовы предложить более низкую цену. Мы продаем только качественные товары по самым лучшим ценам. На нашем сайте Вы можете дешево купить как последние новинки, так и проверенные временем приборы от лучших производителей.
На сайте постоянно действует акция «Куплю по лучшей цене» - если на другом интернет-ресурсе (доска объявлений, форум, или объявление другого онлайн-сервиса) у товара, представленного на нашем сайте, меньшая цена, то мы продадим Вам его еще дешевле! Покупателям также предоставляется дополнительная скидка за оставленный отзыв или фотографии применения наших товаров.
В прайс-листе указана не вся номенклатура предлагаемой продукции. Цены на товары, не вошедшие в прайс-лист можете узнать, связавшись с менеджерами. Также у наших менеджеров Вы можете получить подробную информацию о том, как дешево и выгодно купить измерительные приборы оптом и в розницу. Телефон и электронная почта для консультаций по вопросам приобретения, доставки или получения скидки приведены возле описания товара. У нас самые квалифицированные сотрудники, качественное оборудование и выгодная цена.
Интернет магазин Западприбор - официальный дилер заводов изготовителей измерительного оборудования. Наша цель - продажа товаров высокого качества с лучшими ценовыми предложениями и сервисом для наших клиентов. Наш интернет магазинможет не только продать необходимый Вам прибор, но и предложить дополнительные услуги по его поверке, ремонту и монтажу. Чтобы у Вас остались приятные впечатления после покупки на нашем сайте, мы предусмотрели специальные гарантированные подарки к самым популярным товарам.
Вы можете оставить отзывы на приобретенный у нас прибор, измеритель, устройство, индикатор или изделие. Ваш отзыв при Вашем согласии будет опубликован на официальном сайте без указания контактной информации.
Интернет-магазин принимаем активное участие в таких процедурах как электронные торги, тендер, аукцион.
При отсутствии на официальном сайте в техническом описании необходимой Вам информации о приборе Вы всегда можете обратиться к нам за помощью. Наши квалифицированные менеджеры уточнят для Вас технические характеристики на прибор из его технической документации: инструкция по эксплуатации, паспорт, формуляр, руководство по эксплуатации, схемы. При необходимости мы сделаем фотографии интересующего вас прибора, стенда или устройства.
Описание на приборы взято с технической документации или с технической литературы. Большинство фото изделий сделаны непосредственно нашими специалистами перед отгрузкой товара. В описании устройства предоставлены основные технические характеристики приборов: номинал, диапазон измерения, класс точности, шкала, напряжение питания, габариты (размер), вес. Если на сайте Вы увидели несоответствие названия прибора (модель) техническим характеристикам, фото или прикрепленным документам - сообщите об этом нам - Вы получите полезный подарок вместе с покупаемым прибором.
При необходимости, уточнить общий вес и габариты или размер отдельной части измерителя Вы можете в нашем сервисном центре. Наши инженеры помогут подобрать полный аналог или наиболее подходящую замену на интересующий вас прибор. Все аналоги и замена будут протестированы в одной с наших лабораторий на полное соответствие Вашим требованиям.
Основная особенность нашего интернет магазина проведение объективных консультаций при выборе необходимого оборудования. У нас работают около 20 высококвалифицированных специалистов, которые готовы ответить на все ваши вопросы.
В технической документации на каждый прибор или изделие указывается информация по перечню и количеству содержания драгметаллов. В документации приводится точная масса в граммах содержания драгоценных металлов: золото Au, палладий Pd, платина Pt, серебро Ag, тантал Ta и другие металлы платиновой группы (МПГ) на единицу изделия. Данные драгметаллы находятся в природе в очень ограниченном количестве и поэтому имеют столь высокую цену. У нас на сайте Вы можете ознакомиться с техническими характеристиками приборов и получить сведения о содержании драгметаллов в приборах и радиодеталях производства СССР. Обращаем ваше внимание, что часто реальное содержание драгметаллов на 10-25% отличается от справочного в меньшую сторону! Цена драгметаллов будет зависить от их ценности и массы в граммах.
Мы предлагаем быструю международную доставку практически во все страны мира: Австралия (Australia), Австрия (Austria), Азербайджан, Албания (Albania), Алжир (Algeria), Ангилья, Ангола, Антигуа и Барбуда, Аргентина (Argentina), Аруба, Багамские острова, Бангладеш, Барбадос, Бахрейн, Белиз, Бельгия (Belgium), Бенин, Бермуды, Болгария (Bulgaria), Боливия, Бонайре, Синт-Э. и Саба, Босния и Герцеговина (Bosnia and Herzegovina), Ботсвана, Бразилия (Brazil), Британские Виргинские Острова, Бруней Даруссалам, Буркина Фасо, Бурунди, Бутан, Вьетнам (Vietnam), Вануату, Ватикан, Венесуэла, Армения, Габон, Гайана, Гаити, Гамия, Гамбия, Гана, Гватемала, Гвинея, Гибралтар, Гондурас, Гонконг, Гренада, Гренландия (Greenland), Греция (Greece), Грузия (Georgia), Дания (Denmark), Демократическая Республика Конго, Джерси, Джибути, Доминика, Доминиканская Республика, Эквадор, Эсватин, Эстония (Estonia), Эфиопия (Ethiopia), Египет (Egypt), Замбия, Зимбабве (Zimbabwe), Иордания Индонезия, Ирландия (Ireland), Исландия (Iceland), Испания (Spain), Италия (Italy), Кабо-Верде, Казахстан (Kazakhstan), Каймановы острова, Камбоджа, Камерун, Канада (Canada), Катар, Кения, Кыргызстан, Китай (China), Кипр (Cyprus), Кирибати, Колумбия (Colombia), Коморские острова, Конго, Корея (Республика) (Korea Rep.), Коста-Рика, Кот-д'Ивуар, Куба, Кувейт, Кюрасао, Лаос, Латвия (Latvia), Лесото, Литва (Lithuania), Либерия, Ливан, Ливия, Лихтенштейн, Люксембург, Мьянма, Маврикий, Мавритания, Мадагаскар, Макао, Малави, Малайзия, Мали, Мальдивы, Мальта, Марокко (Morocco), Мексика (Mexico), Мозамбик, Молдова (Moldova), Монако, Монако, Намибия, Науру, Непал, Нигер, Нигерия (Nigeria), Нидерланды (Netherlands), Германия (Germany), Новая Зеландия (New Zealand), Новая Каледония, Норвегия (Norway), ОАЭ (UAE), Оман, Острова Кука, Пакистан, Палестина, Панама, Папуа Новая Гвинея, Парагвай, Перу, Южная Африка, Польша (Poland), Португалия (Portugal), Республика Чад, Руанда, Румыния (Romania), Сальвадор, Самоа, Сан-Марино, Саудовская Аравия (Saudi Arabia), Свазиленд, Сейшельские острова, Сенегал, Сент-Винсент и Гренадины, Сент-Китс и Невис, Сент-Люсия, Сербия (Serbia), Сингапур (Singapore), Синт-Мартен, Словакия (Slovakia), Словения (Slovenia), Соломоновые острова, Соединенное Королевство Великобритании и Северной Ирландии (United Kingdom of Great Britain and Northern Ireland), Судан, Суринам, Восточный Тимор (Тимор-Лешти), США (USA), Сьерра-Леоне, Таджикистан, Тайвань (Taiwan), Таиланд (Thailand), Танзания (Объединенная Республика), Того, Тонга, Тринидад и Тобаго, Тувалу, Тунис (Tunisia), Турция (Turkey), Туркменистан, Уганда, Венгрия (Hungary), Узбекистан, Уругвай, Фарерские острова, Фиджи, Филиппины (Philippines), Финляндия (Finland), Франция (France), Французская Полинезия, Хорватия (Croatia), Центральноафриканская Республика, Чешская Республика (Czech Republic), Чили, Черногория (Montenegro), Швейцария (Switzerland), Швеция (Sweden), Шри-Ланка, Ямайка, Япония (Japan).
Иногда клиенты могут вводить название нашего интернет магазина или официальный сайт неправильно - например, западпрыбор, западпрылад, западпрібор, западприлад, західприбор, західпрібор, захидприбор, захидприлад, захидпрібор, захидпрыбор, захидпрылад. Правильно - западприбор.
Наш технический отдел осуществляет ремонт и сервисное обслуживание измерительной техники более чем 75 разных заводов производителей бывшего СССР и СНГ. Также мы осуществляем такие метрологические процедуры: калибровка, тарирование, градуирование, испытание средств измерительной техники.
Если Вы можете сделать ремонт устройства самостоятельно, то наши инженеры могут предоставить Вам полный комплект необходимой технической документации: электрическая схема, ТО, РЭ, ФО, ПС. Также мы располагаем обширной базой технических и метрологических документов: технические условия (ТУ), техническое задание (ТЗ), ГОСТ, отраслевой стандарт (ОСТ), методика поверки, методика аттестации, поверочная схема для более чем 3500 типов измерительной техники от производителя данного оборудования. Из сайта Вы можете скачать весь необходимый софт (программа, драйвер) необходимый для работы приобретенного устройства.
Также у нас есть библиотека нормативно-правовых документов, которые связаны с нашей сферой деятельности: закон, кодекс, постановление, указ, временное положение.