Транзистор ZVN4310A

 

Техническое описание транзистора ZVN4310A.

ОТК компании гарантирует отсутствие брака у всех транзисторов представленных на нашем сайте. Для покупки ZVN4310A обратитесь в отдел продаж. Относительно информации о цене, наличии, сроках поставки, гарантии обращайтесь по телефонам, указанным в контактах или оставьте запрос через форму обратной связи.
Полное название: ZVN4310A, MOSFET.

Технические характеристики:

Максимальная рабочая температура : +150 °C

Максимальный непрерывный ток стока : 900 мА

Тип корпуса : E-Line

Максимальное рассеяние мощности : 850 мВт

Тип монтажа : Монтаж на плату в отверстия

Ширина : 2.41мм

Высота : 4.01мм

Размеры : 4.77 x 2.41 x 4.01мм

Материал транзистора : Кремний

Количество элементов на ИС : 1

Длина : 4.77мм

Transistor Configuration : Одинарный

Типичное время задержки включения : 8 нс

Производитель : DiodesZetex

Типичное время задержки выключения : 30 нс

Минимальная рабочая температура : -55 °C

Maximum Gate Threshold Voltage : 3V

Максимальное сопротивление сток-исток : 500 мОм

Максимальное напряжение сток-исток : 100 В

Число контактов : 3

Категория : Малый сигнал

Номер канала : Поднятие

Типичная входная емкость при Vds : 350 pF@ 25 V

Тип канала : N

Максимальное напряжение затвор-исток : -20 В, +20 В

Id - непрерывный ток утечки : 900 mA

Pd - рассеивание мощности : 850 mW

Rds Вкл - сопротивление сток-исток : 500 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток : 100 V

Vgs - напряжение затвор-исток : 20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : 1 V

Вид монтажа : Through Hole

Время нарастания : 25 ns

Время спада : 16 ns

Канальный режим : Enhancement

Категория продукта : МОП-транзистор

Количество каналов : 1 Channel

Конфигурация : Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. : 600 mS

Подкатегория : MOSFETs

Полярность транзистора : N-Channel

Продукт : MOSFET Small Signal

Размер фабричной упаковки : 4000

Серия : ZVN4310

Технология : Si

Тип : FET

Тип продукта : MOSFET

Тип транзистора : 1 N-Channel

Типичное время задержки при включении : 8 ns

Торговая марка : Diodes Incorporated

Упаковка : Bulk

Упаковка / блок : TO-92-3

EU RoHS : Compliant with Exemption

ECCN (US) : EAR99

Part Status : Active

HTS : 8541.10.00.80

Product Category : Small Signal

Process Technology : DMOS

Configuration : Single

Channel Mode : Enhancement

Channel Type : N

Number of Elements per Chip : 1

Maximum Drain Source Voltage (V) : 100

Maximum Gate Source Voltage (V) : ±20

Maximum Continuous Drain Current (A) : 0.9

Maximum Drain Source Resistance (mOhm) : 500@10V

Typical Input Capacitance @ Vds (pF) : 350(Max)@25V

Maximum Power Dissipation (mW) : 850

Typical Fall Time (ns) : 16(Max)

Typical Rise Time (ns) : 25(Max)

Typical Turn-Off Delay Time (ns) : 30(Max)

Typical Turn-On Delay Time (ns) : 8(Max)

Minimum Operating Temperature (°C) : -55

Maximum Operating Temperature (°C) : 150

Standard Package Name : TO-92

Pin Count : 3

Supplier Package : E-Line

Military : No

Mounting : Through Hole

Package Height : 3.9

Package Length : 4.57

Package Width : 2.28

PCB changed : 3

Lead Shape : Through Hole

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C : 900mA (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V

ECCN : EAR99

FET Type : N-Channel

HTSUS : 8541.21.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 350pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL) : 1 (Unlimited)

Mounting Type : Through Hole

Operating Temperature : -55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package : Bulk

Package / Case : TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Power Dissipation (Max) : 850mW (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 500mOhm @ 3A, 10V

REACH Status : REACH Affected

RoHS Status : ROHS3 Compliant

Supplier Device Package : TO-92-3

Technology : MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max) : В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id : 3V @ 1mA

Brand : Diodes Incorporated

Factory Pack Quantity : 4000

Fall Time : 16 ns

Forward Transconductance - Min : 600 mS

Height : 4.01 mm

Id - Continuous Drain Current : 900 mA

Length : 4.77 mm

Manufacturer : Diodes Incorporated

Maximum Operating Temperature : + 150 C

Minimum Operating Temperature : - 55 C

Mounting Style : Through Hole

Number Of Channels : 1 Channel

Packaging : Bulk

Pd - Power Dissipation : 850 mW

Product : MOSFET Small Signal

Product Type : MOSFET

Rds On - Drain-Source Resistance : 500 mOhms

Rise Time : 25 ns

Series : ZVN4310

Subcategory : MOSFETs

Transistor Polarity : N-Channel

Transistor Type : 1 N-Channel

Type : FET

Typical Turn-Off Delay Time : 30 ns

Typical Turn-On Delay Time : 8 ns

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage : 100 V

Vgs - Gate-Source Voltage : 10 V

Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage : 1 V

Width : 2.41 mm

 

Также на сайте zapadpribor.com представлено другие транзисторы и похожее оборудование.

 

Графическое изображение транзистора ZVN4310A.

 

Данное изображение взято с печатных справочников, каталогов или других общедоступных ресурсов. Оно может содержать некоторые неточности. Более подробную информацию уточняйте у наших менеджеров.

 

Основные характеристики транзистора ZVN4310A : ZVN4310A, MOSFETSemiconductors ZVN4310A - это 100-вольтовый N-канальный полевой транзистор E-Line с N-канальным режимом расширения, вертикальный DMOS-полевой транзистор с сопротивлением 0,5R и рассеиваемой мощностью 850 мВт.

 

Завод-изготовитель предоставляет гарантию соответствия ZVN4310A транзистор всем требованиям технических условий при соблюдении потребителем правил и условий эксплуатации, хранения и транспортирования, установленных документацией по эксплуатации.

Между прочим это изделие иногда называют: ZVN-4310A, ZVN 4310A, ZVN4310A, ZVN-4310A,ZVN 4310A.

 

Использовать техническое описание на транзисторы ZVN4310A запрещается без наличия письменного разрешения правообладателя; указание ссылки на данную страницу zapadpribor.com/zvn4310a-tranzistor/ обязательно.