Транзистор HUF76423P3

 

Далее представлены технические характеристики транзистора HUF76423P3.

Наш отдел технического контроля дает гарантию отсутствия брака или других несоответствий в технической документации у всех транзисторов представленных на нашем сайте. Чтобы приобрести HUF76423P3 обратитесь в отдел продаж. Информацию о цене, наличии, сроках поставки, гарантии можно узнать у наших менеджеров.
Полное название: HUF76423P3, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 23А, 85Вт, TO220AB.

Технические характеристики:

Максимальная рабочая температура : +175 °C

Максимальный непрерывный ток стока : 33 А

Тип корпуса : TO-220AB

Максимальное рассеяние мощности : 85 W

Тип монтажа : Монтаж на плату в отверстия

Ширина : 4.7мм

Высота : 16.3мм

Размеры : 10.67 x 4.7 x 16.3мм

Материал транзистора : Кремний

Количество элементов на ИС : 1

Длина : 10.67мм

Transistor Configuration : Одинарный

Типичное время задержки включения : 245 нс

Производитель : ON Semiconductor

Типичное время задержки выключения : 32 нс

Серия : UltraFET

Минимальная рабочая температура : -55 °C

Minimum Gate Threshold Voltage : 1V

Максимальное сопротивление сток-исток : 38 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток : 60 В

Число контактов : 3

Категория : Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs : 28 nC @ 10 V

Номер канала : Поднятие

Типичная входная емкость при Vds : 1060 пФ при 25 В

Тип канала : N

Максимальное напряжение затвор-исток : -16 V, +16 V

Number of Elements per Chip : 1

Brand : ON Semiconductor

Series : UltraFET

Mounting Type : Монтаж на плату в отверстия

Width : 4.7мм

Height : 16.3мм

Минимальное пороговое напряжение включения : 1V

Maximum Drain Source Voltage : 60 В

Pin Count : 3

Typical Gate Charge @ Vgs : 28 нКл при 10 В

Channel Type : N

Maximum Gate Source Voltage : -16 В, +16 В

Id - непрерывный ток утечки : 35 A

Pd - рассеивание мощности : 85 W

Qg - заряд затвора : 34 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток : 25 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток : 60 V

Vgs - напряжение затвор-исток : 16 V, + 16 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : 1 V

Вид монтажа : Through Hole

Время нарастания : 85 ns

Время спада : 76 ns

Другие названия товара № : HUF76423P3_NL

Канальный режим : Enhancement

Категория продукта : МОП-транзистор

Количество каналов : 1 Channel

Коммерческое обозначение : UltraFET

Конфигурация : Single

Подкатегория : MOSFETs

Полярность транзистора : N-Channel

Размер фабричной упаковки : 800

Технология : Si

Тип : MOSFET

Тип продукта : MOSFET

Тип транзистора : 1 N-Channel

Типичное время задержки при включении : 7 ns

Торговая марка : ON Semiconductor / Fairchild

Упаковка : Tube

Упаковка / блок : TO-220-3

Base Product Number : HUF76 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C : 35A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

ECCN : EAR99

FET Type : N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 34nC @ 10V

HTSUS : 8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 1060pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL) : 1 (Unlimited)

Operating Temperature : -55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package : Tube

Package / Case : TO-220-3

Power Dissipation (Max) : 85W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 30mOhm @ 35A, 10V

REACH Status : REACH Unaffected

RoHS Status : ROHS3 Compliant

Supplier Device Package : TO-220-3

Technology : MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max) : В±16V

Vgs(th) (Max) @ Id : 3V @ 250ВµA

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C : 35A(Tc)

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) : 85W(Tc)

Rds On - Drain-Source Resistance : 30mО© @ 35A,10V

Transistor Polarity : N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage : 60V

Vgs - Gate-Source Voltage : 3V @ 250uA

Automotive : No

Channel Mode : Enhancement

Configuration : Single

ECCN (US) : EAR99

EU RoHS : Compliant with Exemption

Lead Shape : Through Hole

Maximum Continuous Drain Current (A) : 35

Maximum Drain Source Resistance (mOhm) : 30 10V

Maximum Drain Source Voltage (V) : 60

Maximum Gate Source Leakage Current (nA) : 100

Maximum Gate Source Voltage (V) : ±16

Maximum Gate Threshold Voltage (V) : 3

Maximum IDSS (uA) : 1

Maximum Operating Temperature (°C) : 175

Maximum Power Dissipation (mW) : 85000

Minimum Operating Temperature (°C) : -55

Mounting : Through Hole

Packaging : Tube

Part Status : Active

PCB changed : 3

PPAP : No

Process Technology : UltraFET

Product Category : Power MOSFET

Standard Package Name : TO-220

Supplier Package : TO-220

Tab : Tab

Typical Fall Time (ns) : 76|50

Typical Gate Charge @ 10V (nC) : 28

Typical Gate Charge @ Vgs (nC) : 28 10V

Typical Input Capacitance @ Vds (pF) : 1060 25V

Typical Rise Time (ns) : 85|147

Typical Turn-Off Delay Time (ns) : 32|47

Typical Turn-On Delay Time (ns) : 7|12

Вес, г : 2

 

Cайт zapadpribor.com предлагает вашему вниманию транзисторы , а также много подобного оборудования.

 

 

Графическое изображение транзистора HUF76423P3.

 

Данное изображение взято с печатных справочников, каталогов или других общедоступных ресурсов. Оно может содержать некоторые неточности. Более подробную информацию уточняйте у наших менеджеров.

 

Основные характеристики транзистора HUF76423P3 : HUF76423P3, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 23А, 85Вт, TO220ABПолупроводники/ Транзисторы/ Транзисторы униполярные/ Транзисторы с каналом типа N/ Транзисторы с каналом N THT Полевой МОП-транзистор UltraFET®, Fairchild Semiconductor МОП-транзистор UItraFET® Trench сочетают в себе характеристики, обеспечивающие эталонную эффективность в приложениях преобразования энергии. Устройство способно выдерживать высокую энергию в лавинном режиме, а диод демонстрирует очень низкое время обратного восстановления и накопленный заряд. Оптимизирован для эффективности на высоких частотах, минимальном RDS (включено), низком ESR и низком общем заряде затвора и затвора Миллера. Применения в высокочастотных преобразователях постоянного тока в постоянный, импульсных регуляторах, драйверах двигателей, переключателях низковольтной шины и мощности управление.

 

Гарантия соответствия на транзистор HUF76423P3 предоставляется производителем согласно требованиям технических условий при соблюдении потребителем правил и условий эксплуатации, хранения и транспортировки, установленных документацией по эксплуатации.

Называют это изделие также HUF-76423P3, HUF 76423P3, HUF76423P3, HUF-76423P3,HUF 76423P3.

 

Использовать техническое описание на транзисторы HUF76423P3 запрещается без наличия письменного разрешения правообладателя; указание ссылки на данную страницу zapadpribor.com/huf76423p3-tranzistor/ обязательно.