Каталог товаров

транзисторы другие (1Т, 2П, 2Т, 3П, ГТ, КП, КТ, МП и другие)

2Т316Г

2Т316Г
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой частоты (2Т316Г, 2Т316Д, КТ316Г, КТ316Д) и переключающих устройствах (2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316А-5, КТ316А, КТ316Б, КТ316В).

Подробнее ...

2Т316Д

2Т316Д
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой частоты (2Т316Г, 2Т316Д, КТ316Г, КТ316Д) и переключающих устройствах (2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316А-5, КТ316А, КТ316Б, КТ316В).

Подробнее ...

2Т317А-1

2Т317А-1
Транзисторы 2Т317А-1 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой и низкой частоты, переключающих и импульсных устройствах герметизированной аппаратуры.

Подробнее ...

2Т317Б-1

2Т317Б-1
Транзисторы 2Т317Б-1 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой и низкой частоты, переключающих и импульсных устройствах герметизированной аппаратуры.

Подробнее ...

2Т317Б-1Н

2Т317Б-1Н транзисторы широко применяются в разных электро-, радио- и контрольно-измерительных приборах.

- корпус - б/корп.

Подробнее ...

2Т317В-1

2Т317В-1
Транзисторы 2Т317В-1 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой и низкой частоты, переключающих и импульсных устройствах герметизированной аппаратуры.

Подробнее ...

2Т321А

2Т321А
Транзисторы 2Т321А кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры p-n-p импульсные.
Предназначены для применения в импульсных усилителях и переключающих устройствах.

Подробнее ...

2Т321Б

2Т321Б
Транзисторы 2Т321Б кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры p-n-p импульсные.
Предназначены для применения в импульсных усилителях и переключающих устройствах.

Подробнее ...

2Т321В

2Т321В
Транзисторы 2Т321В кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры p-n-p импульсные.
Предназначены для применения в импульсных усилителях и переключающих устройствах.

Подробнее ...

2Т321Г

2Т321Г
Транзисторы 2Т321Г кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры p-n-p импульсные.
Предназначены для применения в импульсных усилителях и переключающих устройствах.

Подробнее ...