Каталог товаров

транзисторы другие (1Т, 2П, 2Т, 3П, ГТ, КП, КТ, МП и другие)

2Т312Д

2Т312Д транзисторы широко применяются в разных электро-, радио- и контрольно-измерительных приборах.

Кремниевый n-p-n транзистор для применения в радиовещательных приемниках и другой приемоусилительной аппаратуре

- корпус - КТЮ-3-1;

- маркировка - вместо ромба - черная точка.

Подробнее ...

2Т3130А9

2Т3130А9
Транзисторы 2Т3130А9 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для применения во входных каскадах малошумящих низкочастотных усилителей, в высокочастотных усилителях, генераторах, стабилизаторах напряжения герметизированной аппаратуры.

Подробнее ...

2Т3130Б9

2Т3130Б9
Транзисторы 2Т3130Б9 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для применения во входных каскадах малошумящих низкочастотных усилителей, в высокочастотных усилителях, генераторах, стабилизаторах напряжения герметизированной аппаратуры.

Подробнее ...

2Т3130В9

2Т3130В9
Транзисторы 2Т3130В9 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для применения во входных каскадах малошумящих низкочастотных усилителей, в высокочастотных усилителях, генераторах, стабилизаторах напряжения герметизированной аппаратуры.

Подробнее ...

2Т3130Г9

2Т3130Г9
Транзисторы 2Т3130Г9 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для применения во входных каскадах малошумящих низкочастотных усилителей, в высокочастотных усилителях, генераторах, стабилизаторах напряжения герметизированной аппаратуры.

Подробнее ...

2Т3130Д9

2Т3130Д9
Транзисторы 2Т3130Д9 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для применения во входных каскадах малошумящих низкочастотных усилителей, в высокочастотных усилителях, генераторах, стабилизаторах напряжения герметизированной аппаратуры.

Подробнее ...

2Т3130Е9

2Т3130Е9
Транзисторы 2Т3130Е9 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для применения во входных каскадах малошумящих низкочастотных усилителей, в высокочастотных усилителях, генераторах, стабилизаторах напряжения герметизированной аппаратуры.

Подробнее ...

2Т3132А-2

2Т3132А-2
Транзисторы 2Т3132А-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума.
Предназначены для применения в СВЧ маломощных усилителя диапазона частот 1-7,2 ГГц герметизированной аппаратуры.

Подробнее ...

2Т3132Б-2

2Т3132Б-2
Транзисторы 2Т3132Б-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума.
Предназначены для применения в СВЧ маломощных усилителя диапазона частот 1-7,2 ГГц герметизированной аппаратуры.

Подробнее ...

2Т3132В-2

2Т3132В-2
Транзисторы 2Т3132В-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума.
Предназначены для применения в СВЧ маломощных усилителя диапазона частот 1-7,2 ГГц герметизированной аппаратуры.

Подробнее ...