Радиокомпоненты и радиодетали >> микросхемы

Микросхемы серии 198

в наличии:
145 штук
Под заказ возможна оперативная поставка любого количества.

Техническая документация на микросхемы серии 198:

Микросхемы серии 198 ТО.

Скачать

[pdf, 2.2MB]

Микросхемы серии 198

Также это изделие может называться: microchips series 198.

 

Микросхемы серии 198 интегральные предназначены для использования в качестве базовой схемы дифференциального усилителя и других балансных схем в различных устройствах радиоэлектронной аппаратуры.

 

Микросхема 198 серии представляет собой сборку из двух биполярных транзисторов, выполненных по планарной технологии с изоляцией элементов диэлектриком. Используется в устройствах преобразования сигналов, системах автоматического управления и контроля.

 

Условные обозначения после номера серии:

 

- С1, З, Т1, У - корпус с золотым покрытием;

- С, Н, Т, У1 - корпус с покрытием «никель-бор»;

- С2 - никелированный корпус;

- ВК - комбинированные устройства;

- КЗ - каталитическое золото;

- Н1, Н11 - бескорпусное исполнение.

 

Условные обозначения перед номером серии:

 

- К - микросхемы приемки ОТК;

- КР - пластмассовый корпус;

- ОСМ - микросхема повышенной надежности, приемки ПЗ.

 

Наиболее популярные микросхемы серии 198, которые есть в наличии на нашем складе:

 

198 ОСМ198 К198 КР198
198НТ1АТ ОСМ198НТ1АТ К198НТ1АТ КР198НТ1АТ
198Н4 ОСМ198Н4 К198Н4 КР198Н4
198Н4 ВК ОСМ198Н4 ВК К198Н4 ВК КР198Н4 ВК
198НТ1А ВК ОСМ198НТ1А ВК К198НТ1А ВК КР198НТ1А ВК
198НТ1АТ1 ОСМ198НТ1АТ1 К198НТ1АТ1 КР198НТ1АТ1
198НТ1Б ВК ОСМ198НТ1Б ВК К198НТ1Б ВК КР198НТ1Б ВК
198НТ1БТ ОСМ198НТ1БТ К198НТ1БТ КР198НТ1БТ
198НТ1БТ1 ОСМ198НТ1БТ1 К198НТ1БТ1 КР198НТ1БТ1
198НТ1В ВК ОСМ198НТ1В ВК К198НТ1В ВК КР198НТ1В ВК
198НТ1ВТ ОСМ198НТ1ВТ К198НТ1ВТ КР198НТ1ВТ
198НТ1ВТ1 ОСМ198НТ1ВТ1 К198НТ1ВТ1 КР198НТ1ВТ1
198НТ2А ВК ОСМ198НТ2А ВК К198НТ2А ВК КР198НТ2А ВК
198НТ2АТ ОСМ198НТ2АТ К198НТ2АТ КР198НТ2АТ
198НТ2АТ1 ОСМ198НТ2АТ1 К198НТ2АТ1 КР198НТ2АТ1
198НТ2Б ВК ОСМ198НТ2Б ВК К198НТ2Б ВК КР198НТ2Б ВК
198НТ2БТ ОСМ198НТ2БТ К198НТ2БТ КР198НТ2БТ
198НТ2БТ1 ОСМ198НТ2БТ1 К198НТ2БТ1 КР198НТ2БТ1
198НТ2ВТ ОСМ198НТ2ВТ К198НТ2ВТ КР198НТ2ВТ
198НТ2ВТ1 ОСМ198НТ2ВТ1 К198НТ2ВТ1 КР198НТ2ВТ1
198НТ3 ВК ОСМ198НТ3 ВК К198НТ3 ВК КР198НТ3 ВК
198НТ3Т ОСМ198НТ3Т К198НТ3Т КР198НТ3Т
198НТ3Т1 ОСМ198НТ3Т1 К198НТ3Т1 КР198НТ3Т1
198НТ5А ВК ОСМ198НТ5А ВК К198НТ5А ВК КР198НТ5А ВК
198НТ5АТ ОСМ198НТ5АТ К198НТ5АТ КР198НТ5АТ
198НТ5АТ1 ОСМ198НТ5АТ1 К198НТ5АТ1 КР198НТ5АТ1
198НТ5Б ВК ОСМ198НТ5Б ВК К198НТ5Б ВК КР198НТ5Б ВК
198НТ5БТ ОСМ198НТ5БТ К198НТ5БТ КР198НТ5БТ
198НТ5БТ1 ОСМ198НТ5БТ1 К198НТ5БТ1 КР198НТ5БТ1
198НТ6А ВК ОСМ198НТ6А ВК К198НТ6А ВК КР198НТ6А ВК
198НТ6АТ ОСМ198НТ6АТ К198НТ6АТ КР198НТ6АТ
198НТ6АТ1 ОСМ198НТ6АТ1 К198НТ6АТ1 КР198НТ6АТ1
198НТ6Б ВК ОСМ198НТ6Б ВК К198НТ6Б ВК КР198НТ6Б ВК
198НТ6БТ ОСМ198НТ6БТ К198НТ6БТ КР198НТ6БТ
198НТ6БТ1 ОСМ198НТ6БТ1 К198НТ6БТ1 КР198НТ6БТ1
198НТ7А ВК ОСМ198НТ7А ВК К198НТ7А ВК КР198НТ7А ВК
198НТ7АТ ОСМ198НТ7АТ К198НТ7АТ КР198НТ7АТ
198НТ7АТ1 ОСМ198НТ7АТ1 К198НТ7АТ1 КР198НТ7АТ1
198НТ7Б ВК ОСМ198НТ7Б ВК К198НТ7Б ВК КР198НТ7Б ВК
198НТ7БТ ОСМ198НТ7БТ К198НТ7БТ КР198НТ7БТ
198НТ7БТ1 ОСМ198НТ7БТ1 К198НТ7БТ1 КР198НТ7БТ1
198НТ8А ВК ОСМ198НТ8А ВК К198НТ8А ВК КР198НТ8А ВК
198НТ8АТ ОСМ198НТ8АТ К198НТ8АТ КР198НТ8АТ
198НТ8АТ1 ОСМ198НТ8АТ1 К198НТ8АТ1 КР198НТ8АТ1
198НТ8Б ВК ОСМ198НТ8Б ВК К198НТ8Б ВК КР198НТ8Б ВК
198НТ8БТ ОСМ198НТ8БТ К198НТ8БТ КР198НТ8БТ
198НТ8БТ1 ОСМ198НТ8БТ1 К198НТ8БТ1 КР198НТ8БТ1

 

Варианты исполнения 198 серии микросхем в зависимости от вида приёмки:

- ОТК - отдел технического контроля;

- ОС - особо стойкие (особо стабильные);

- ПЗ - приемка заказчика;

- ВП - военная приемка.

 

Технические характеристики микросхем серии 198:

 - некоторые технические параметры указаны через точку с запятой в зависимости от модели микросхемы; более подробную информацию смотрите в сравнительной таблице.

 

Обратный ток:

- коллектора, не более: 50 нА; 75 нА; 100 нА;

- эммитера, не более - 100 нА.

Ток утечки между транзисторами, не более - 50 нА.

Количество транзисторов - 3; 4; 5.

 

Статический коэффициент прямой передачи тока в схеме с общим эмиттером в режиме большого сигнала - 30; 200; 250.

Разброс статических коэффициентов переменного тока для изделия 198 серия микросхем, не более - 15.

Разброс напряжения база-эмиттера - |3|; |5|; |10|.

 

Напряжение насыщения база-эмиттер, не более: 0,8 В; 0,85 В.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, не более: 0,1 В; 0,2 В; 0,5 В; 0,75 В.

Функциональное назначение - матрица транзисторов NPN типа.

 

Температура окружающего воздуха - от -60° С до +125° С.

Масса, не более - 0,8 г.

 

Сравнительная таблица микросхем серии 198:

 

Микросхемы серии 198 - Сравнительная таблица.

 

Параметры надежности:

 

Гамма-процентный ресурс микросхем при γ=95% - 200 000 ч.

Минимальная наработка:

- в обыкновенных режимах и условиях - 100 000 ч;

- в облегченных режимах - 120 000 ч.

 

Минимальный срок сохраняемости микросхем серии 198 при их хранении:

- в отапливаемом хранилище или в хранилище с регулируемыми влажностью и температурой или местах хранения микросхем, вмонтированных в защищенную аппаратуру, или находящихся в защищенном комплекте ЗИП, не более - 25 лет;

- в неотапливаемом хранилище, не более - 16,5 лет;

- под навесом и на открытой площадке, вмонтированными в аппаратуру, или в комплекте ЗИП, не более - 12,5 лет.

Фотографии на: Микросхемы серии 198

198НТ1А фотография микросхемы.
198НТ1А фотография микросхемы.
Микросхемы серии 198 чертеж в корпусном исполнении 401.14-5.
Микросхемы серии 198 чертеж в корпусном исполнении 401.14-5.
Микросхемы серии 198 cравнительная таблица технических характеристик.
Микросхемы серии 198 cравнительная таблица технических характеристик.


Яндекс цитирования