Радиокомпоненты и радиодетали >> микросхемы

Микросхемы серии 129

в наличии:
167 штук
Под заказ возможна оперативная поставка любого количества.

Техническая документация на микросхемы серии 129:

Микросхемы серии 129 ТО.

Скачать

[pdf, 1.4MB]

Микросхемы серии 129

Также это изделие может называться: microchips series 129.

 

Микросхемы серии 129 интегральные предназначены для использования в качестве базовой схемы дифференциального усилителя и других балансных схем в различных устройствах радиоэлектронной аппаратуры.

 

Микросхема 129 серии представляет собой сборку из двух биполярных транзисторов, выполненных по планарной технологии с изоляцией элементов диэлектриком. Используется в радиоэлектронной аппаратуре.

 

Условные обозначения после номера серии:

 

- С1, З, Т1, У - корпус с золотым покрытием;

- С, Н, Т, У1 - корпус с покрытием «никель-бор»;

- С2 - никелированный корпус;

- ВК - комбинированные устройства;

- КЗ - каталитическое золото;

- Н1, Н11 - бескорпусное исполнение.

 

Условные обозначения перед номером серии:

 

- К - микросхемы приемки ОТК;

- КР - пластмассовый корпус;

- ОСМ - микросхема повышенной надежности, приемки ПЗ.

 

Наиболее популярные микросхемы серии 129, которые есть в наличии на нашем складе:

 

129 ОСМ129 К129 КР129
129НТ1АН1 ОСМ129НТ1АН1 К129НТ1АН1 КР129НТ1АН1
129НТ1АН1 ВК ОСМ129НТ1АН1 ВК К129НТ1АН1 ВК К129НТ1АН1 ВК
129НТ1БН1 ОСМ129НТ1БН1 К129НТ1БН1 КР129НТ1БН1
129НТ1БН1 ВК ОСМ129НТ1БН1 ВК К129НТ1БН1 ВК К129НТ1БН1 ВК
129НТ1ВН1 ОСМ129НТ1ВН1 К129НТ1ВН1 КР129НТ1ВН1
129НТ1ВН1 ВК ОСМ129НТ1ВН1 ВК К129НТ1ВН1 ВК К129НТ1ВН1 ВК
129НТ1ГН1 ОСМ129НТ1ГН1 К129НТ1ГН1 КР129НТ1ГН1
129НТ1ГН1 ВК ОСМ129НТ1ГН1 ВК К129НТ1ГН1 ВК К129НТ1ГН1 ВК
129НТ1ДН1 ОСМ129НТ1ДН1 К129НТ1ДН1 КР129НТ1ДН1
129НТ1ДН1 ВК ОСМ129НТ1ДН1 ВК К129НТ1ДН1 ВК К129НТ1ДН1 ВК
129НТ1ЕН1 ОСМ129НТ1ЕН1 К129НТ1ЕН1 КР129НТ1ЕН1
129НТ1ЕН1 ВК ОСМ129НТ1ЕН1 ВК К129НТ1ЕН1 ВК К129НТ1ЕН1 ВК
129НТ1ЖН1 ОСМ129НТ1ЖН1 К129НТ1ЖН1 КР129НТ1ЖН1
129НТ1ЖН1 ВК ОСМ129НТ1ЖН1 ВК К129НТ1ЖН1 ВК К129НТ1ЖН1 ВК
129НТ1ИН1 ОСМ129НТ1ИН1 К129НТ1ИН1 КР129НТ1ИН1
129НТ1ИН1 ВК ОСМ129НТ1ИН1 ВК К129НТ1ИН1 ВК К129НТ1ИН1 ВК

 

Варианты исполнения 129 серии микросхем в зависимости от вида приёмки:

- ОТК - отдел технического контроля;

- ОС - особо стойкие (особо стабильные);

- ПЗ - приемка заказчика;

- ВП - военная приемка.

 

Технические характеристики микросхемы серии 129:

 - некоторые технические параметры указаны через точку с запятой в зависимости от модели микросхемы; более подробную информацию смотрите в сравнительной таблице.

 

Обратный ток коллектора, не более - 20 нА.

Обратный ток эмиттера, не более - 50 нА.

Количество транзисторов - 2.

 

Начальный ток коллектора, не более - 50 нА.

Ток утечки между транзисторами, не более - 10 нА.

 

Статистический коэффициент прямой передачи тока в схеме с общим эммитером в режиме большого cигнала:

- при токе эммитера 1 мА - от 30 до 90; от 40 до 160; от 60 до 180;

- при токе эммитера 0,05 мА, не менее - 180.

 

Отношение статических коэффициентов прямой передачи тока в режиме большого сигнала для изделия микросхема серии 129:

- при токе эммитера 1 мА, не менее: 0,8; 0,9;

- при токе эммитера 0,05 мА, не менее: 0,8; 0,92.

 

Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте, не менее; 2,5; 3,5; 4,5.

Модуль разности прямых напряжений база-эмиттер, не более: 3 мВ; 10 мВ.

Абсолютное измерение модуля разности напряжений база-эммитер, не более: 2 мВ; 6 мВ.

 

Прямое падение напряжения база-эмиттер транзисторов - от 0,55 до 0,75.

Емкость коллекторного перехода, не более - 3 пФ.

Емкость эмиттерного перехода, не более - 4 пФ.

Функциональное назначение 129 серии микросхем - базовая схема дифференциального усилителя.

 

Температура окружающего воздуха - от -60° С до +125° С.

Масса, не более - 0,004 г.

 

Сравнительная таблица микросхем серии 129:

 

Микросхемы серии 129 - Сравнительная таблица.

 

Параметры надежности:

 

Минимальная наработка (Тнм) микросхем в составе гибридных интегральных микросхем, микросборках, блоках и аппаратуре (далее ГС):

- в обыкновенных режимах и условиях - 25 000 ч;

- в облегченных режимах - 40 000 ч.

 

Срок хранения набора биполярных транзисторов серии 129 с даты отгрузки до их герметизации в составе ГС - 18 мес.

На протяжении этого срока допускается:

- хранение микросхем у потребителя в упаковке предприятия-изготовителя в отапливаемом хранилище с кондиционированным воздухом - 10 мес;

- нахождение микросхем после их изъятия потребителем из упаковки предприятия-изготовителя в период производства ГС до герметизации - 8 мес.

 

Минимальный срок сохраняемости изделия 129 серия микросхем (Тсм), обеспечивается только в составе загерметизированных ГС при хранении в отапливаемом хранилище, хранилищах с кондиционированием воздуха, вмонтированных в защищенную аппаратуру в комплекте ЗИП, не менее - 25 лет.

Фотографии на: Микросхемы серии 129

129НТ1БН1 фотография микросхемы.
129НТ1БН1 фотография микросхемы.
Микросхемы серии 129 схема расположения выводов.
Микросхемы серии 129 схема расположения выводов.
Микросхемы серии 129 cравнительная таблица технических характеристик.
Микросхемы серии 129 cравнительная таблица технических характеристик.


Яндекс цитирования